| 講演名 | 2012-07-26 パワーデバイス混載ミックスシグナルLSIテクノロジ : 高性能かつ高信頼度BiC-DMOSデバイス開発(アナログ,アナデジ混載,RF及びセンサインタフェース回路) 畑迫 健一, 新田 哲也, 羽根 正巳, 前川 繁登, |
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| 抄録(和) | 電気機器や電装品は"高効率かつ省エネルギー"が求められており、パワーデバイスやパワーデバイス内蔵LSIは中心デバイスに位置付けられ、開発が進んでいる。本論文では高効率化や省エネルギー化を推進するデバイスであるパワーデバイス混載ミックスシグナルLSIの過去から現在までのトレンドを説明し、微細加工技術を使用することによるデバイスの高性能化、SOI技術を使用することによるデバイスの高性能化について夫々説明する。また、現在開発中の技術としてワイドバンドギャップ半導体InGaZnO(IGZO)をチャネル材料として、配線層に三次元的に形成するBEOLトランジスタについて紹介する。 |
| 抄録(英) | This paper presents high performance and high reliability BiC-DMOS device development, which act as the driving force devices toward high efficiency and energy saving society. The development trend of mixed-signal LSI is presented. High performance device development by fine process technology and SOI technology is described. BEOL transistor is presented as high potential transistor, which use wide band-gap semiconductor InGaZnO (IGZO). |
| キーワード(和) | パワーデバイス混載ミックスシグナルLSI / BiC-DMOS / SOI / InGaZnO |
| キーワード(英) | Mixed-signal LSI / BiC-DMOS / SOI / InGaZnO |
| 資料番号 | ICD2012-23 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD |
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| 開催期間 | 2012/7/19(から1日開催) |
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| テーマ（英） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Integrated Circuits and Devices (ICD) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | パワーデバイス混載ミックスシグナルLSIテクノロジ : 高性能かつ高信頼度BiC-DMOSデバイス開発(アナログ,アナデジ混載,RF及びセンサインタフェース回路) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Smart Power LSI Technology Development : High Performance and High Reliability BiC-DMOS Device Development |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | パワーデバイス混載ミックスシグナルLSI / Mixed-signal LSI |
| キーワード(2)（和/英） | BiC-DMOS / BiC-DMOS |
| キーワード(3)（和/英） | SOI / SOI |
| キーワード(4)（和/英） | InGaZnO / InGaZnO |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 畑迫 健一 / Kenichi HATASAKO |
| 第 1 著者 所属（和/英） | ルネサスエレクトロニクス株式会社ミックスシグナルデバイス開発部 Mixed Signal Device Tech. Dept. Renesas Electronics Corp. |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 新田 哲也 / Tetsuya NITTA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | ルネサスエレクトロニクス株式会社ミックスシグナルデバイス開発部 Mixed Signal Device Tech. Dept. Renesas Electronics Corp. |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 羽根 正巳 / Masami HANE |
| 第 3 著者 所属（和/英） | ルネサスエレクトロニクス株式会社先行研究統括部 Advanced LSI Devices Research Renesas Electronics Corp. |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 前川 繁登 / Shigeto MAEGAWA |
| 第 4 著者 所属（和/英） | ルネサスエレクトロニクス株式会社ミックスシグナルデバイス開発部 Mixed Signal Device Tech. Dept. Renesas Electronics Corp. |
| 発表年月日 | 2012-07-26 |
| 資料番号 | ICD2012-23 |
| 巻番号（vol） | vol.112 |
| 号番号（no） | 159 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
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