| 講演名 | 2012-07-26 p形GaNショットキー接触におけるICPエッチングの影響(半導体プロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般) 高橋 利文, 金田 直樹, 三島 友義, 野本 一貴, 塩島 謙次, |
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| 抄録(和) | 低Mgドープp-GaNショットキー接触を用いて、誘導結合プラズマ(ICP)エッチング損傷を評価した。ICPエッチングは、電流-電圧特性のメモリー効果と順方向電流注入前後の空乏層容量の変化を大幅に低減させた。これらの減少は、アクセプター型の表面欠陥がICPエッチング中に水素原子により不活性化されたまたは、ドナー型欠陥の形成により補償されたことを示唆している。さらに、ICPエッチングにより、障壁高さが2.08eVから2.63eVまで増加することを光応答測定から明らかにした。界面準位の変化により、フェルミ準位の位置はエッチングによってわずかに伝導帯エッジに移動したと考えられる。熱処理により、この影響は部分的に回復し、空乏層容量は増加し、PRスペクトルは拮抗した。 |
| 抄録(英) | Low-Mg-doped p-GaN Schottky contacts were applied to evaluate inductive coupled plasma (ICP) etching damages. The ICP etching greatly affected reducing the memory effect in the current-voltage characteristics and difference between the depletion layer capacitances before and after forward current injection. These reductions indicate that the acceptor-type interfacial defects were passivated by H atoms and/or compensated by donor-type defects formed during the ICP etching. Additionally, photoresponse measurements revealed that the etching increased qφ_B from 2.08 to 2.63 eV. Due to the change of the surface states, the Fermi level position would move to the conduction band edge slightly by the etching. By the annealing, this effect was partially removed, and then the capacitance difference increased and the PR spectrum showed less variation. |
| キーワード(和) | ICPエッチング / p-GaN / ショットキー接触 / メモリー効果 / アクセプター型欠陥 |
| キーワード(英) | ICP etching / p-GaN / Schottky contacts / memory effect / acceptor type defects |
| 資料番号 | ED2012-45 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 2012/7/19(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | ENG |
| タイトル（和） | p形GaNショットキー接触におけるICPエッチングの影響(半導体プロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Effect of ICP Etching on p-type GaN Schottky Contacts |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | ICPエッチング / ICP etching |
| キーワード(2)（和/英） | p-GaN / p-GaN |
| キーワード(3)（和/英） | ショットキー接触 / Schottky contacts |
| キーワード(4)（和/英） | メモリー効果 / memory effect |
| キーワード(5)（和/英） | アクセプター型欠陥 / acceptor type defects |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 高橋 利文 / Toshifumi TAKAHASHI |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 福井大学大学院工学研究科電気電子工学専攻 Graduate School of Electrical and Electronics Engineering University of Fukui |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 金田 直樹 / Naoki KANEDA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 日立電線(株)技術研究所先端電子材料研究部 Research & Development Laboratory, Corporate Advanced Technology Group, Hitachi Cable, Ltd. |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 三島 友義 / Tomoyoshi MISHIMA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 日立電線(株)技術研究所先端電子材料研究部 Research & Development Laboratory, Corporate Advanced Technology Group, Hitachi Cable, Ltd. |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 野本 一貴 / Kazuki NOMOTO |
| 第 4 著者 所属（和/英） | ノートルダム大学 University of Notre Dame |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 塩島 謙次 / Kenji SHIOJIMA |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 福井大学大学院工学研究科電気電子工学専攻 Graduate School of Electrical and Electronics Engineering University of Fukui |
| 発表年月日 | 2012-07-26 |
| 資料番号 | ED2012-45 |
| 巻番号（vol） | vol.112 |
| 号番号（no） | 154 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
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