| 講演名 | 2012-07-26 AlGaN/GaN MISHFETチャネル電子移動度の測定(半導体プロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般) 玉井 健太郎, 〓 金平, 菊田 大悟, 杉本 雅裕, 大野 泰夫, |
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| 抄録(和) | AlGaN/GaN MISHFETでは電子は酸化膜/AlGaNのMOS界面またはAlGaN/GaN界面を電子が流れる。また、エンハンスメント動作を目的とするためしきい値制御のリセスエッチングを用いることが多く、電子移動度が影響を受ける懸念がある。そこで、ゲート容量と相互コンダクタンス(Gm)を測定することでチャネルの電界効果移動度を測定した。電子移動度はゲートバイアスで変化するが、チャネル垂直方向電界に対する依存性で見るとリセスエッチングをしないMISHFETでの移動度は同一基板上のHFETと全く同じであった。しかし、リセスエッチングをした試料では移動度の低下が見られた。 |
| 抄録(英) | In AlGaN/GaN MISHFETs, current flows either at oxide/AlGaN MIS interface or AlGaN/GaN hetero-barrier interface. For enhancement-mode operation, recess etching will be used to tune the threshold voltage. Then, carrier drift mobility can be degraded. We measured transconductance Gm and gate capacitance Cg at the same gate bias to avoid hysteresis effects. The measured carrier mobilities vary with the gate bias, but the dependency on the transversal field strength is the same for HFET and MISHFET without recess etching. However, the degradation is observed in MISHFETs with recess etching. |
| キーワード(和) | AlGaN/GaN / MISHFET / ドリフト移動度 / ヒステリシス / ICPエッチング / ダメージ |
| キーワード(英) | AlGaN/GaN / MISHFET / drift mobility / hysteresis / ICP etching / damage |
| 資料番号 | ED2012-42 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 2012/7/19(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | AlGaN/GaN MISHFETチャネル電子移動度の測定(半導体プロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Measurement of Channel Electron Mobility in AlGaN/GaN MISHFET |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | AlGaN/GaN / AlGaN/GaN |
| キーワード(2)（和/英） | MISHFET / MISHFET |
| キーワード(3)（和/英） | ドリフト移動度 / drift mobility |
| キーワード(4)（和/英） | ヒステリシス / hysteresis |
| キーワード(5)（和/英） | ICPエッチング / ICP etching |
| キーワード(6)（和/英） | ダメージ / damage |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 玉井 健太郎 / Kentaro Tamai |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 徳島大学ソシオテクノサイエンス研究部 Institute of Technology and Science, The University of Tokushima |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 〓 金平 / Jin-Ping Ao |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 徳島大学ソシオテクノサイエンス研究部 Institute of Technology and Science, The University of Tokushima |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 菊田 大悟 / Daigo Kikuta |
| 第 3 著者 所属（和/英） | (株)豊田中央研究所 Toyota Central R&D Labs.,Inc. |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 杉本 雅裕 / Masahiro Sugimoto |
| 第 4 著者 所属（和/英） | トヨタ自動車(株) Toyota Motor Corporation |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 大野 泰夫 / Yasuo Ohno |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 徳島大学ソシオテクノサイエンス研究部 Institute of Technology and Science, The University of Tokushima |
| 発表年月日 | 2012-07-26 |
| 資料番号 | ED2012-42 |
| 巻番号（vol） | vol.112 |
| 号番号（no） | 154 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | |