| 講演名 | 2012-06-22 GaAs基板上1.3μm帯メタモルフィックレーザによる20Gbit/s直接変調動作(アクティブデバイスと集積化技術,一般「材料デバイスサマーミーティング」) 荒井 昌和, 金澤 慈, 田所 貴志, 神徳 正樹, |
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| 抄録(和) | 通信用レーザの高速化、低消費電力化の需要が増してきている。GaAs基板上にメタモルフィック成長技術を用いて擬似的なInGaAs基板を作製することで、基板の格子定数の制限から解放された自由度の高い設計が可能となり、InP基板上よりもキャリア閉じ込めがよく、温度特性が良好なレーザの実現が期待される。今回作製した1.3μm帯ファブリペローレーザを用いて20Gbit/s動作を実現した。25℃から85℃で明瞭なアイ開口を確認した。また、更なる温度特性向上のために、pクラッド層の一部に電子障壁層を導入した構造のレーザを作製した。特性温度220K、最高発振温度200℃などの優れた特性を確認した。これらの結果からメタモルフィック成長技術を用いたGaAs基板上1.3μm帯レーザが高速・低消費電力なレーザ光源として有望であることを確認した。 |
| 抄録(英) | There is a strong demand for the efficient use of electric power in telecom and Ethernet systems. We use metamorphic growth technology to increase the flexibility when choosing materials with lattice constants different from that of InP with the aim of realizing improved carrier confinement under high temperature. In this report, we demonstrated a 20 Gbit/s direct modulation with clear eye opening at the temperature between 25 and 85℃. In addition, to increase the temperature characteristics, we introduced electron stopper layer in p-cladding. This laser exhibits a 1.3-μm-range operation with high characteristic temperature (T_0=220K) and high operating temperature (200℃). These results show that a laser with a metamorphic buffer on a GaAs substrate is a good candidate as an uncooled light source with a low power consumption. |
| キーワード(和) | 半導体レーザ / 温度特性 / メタモルフィック |
| キーワード(英) | Semiconductor laser / Temperature characteristics / Metamorphic |
| 資料番号 | OPE2012-11,LQE2012-15 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | OPE |
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| 開催期間 | 2012/6/15(から1日開催) |
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| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Optoelectronics (OPE) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | GaAs基板上1.3μm帯メタモルフィックレーザによる20Gbit/s直接変調動作(アクティブデバイスと集積化技術,一般「材料デバイスサマーミーティング」) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Demonstration on 20 Gbit/s Direct Modulation of 1.3-μm-Range Metamorphic Laser |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 半導体レーザ / Semiconductor laser |
| キーワード(2)（和/英） | 温度特性 / Temperature characteristics |
| キーワード(3)（和/英） | メタモルフィック / Metamorphic |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 荒井 昌和 / Masakazu ARAI |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 日本電信電話(株)NTTフォトニクス研究所 NTT Photonics Laboratories, NTT Corporation |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 金澤 慈 / Shigeru KANAZAWA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 日本電信電話(株)NTTフォトニクス研究所 NTT Photonics Laboratories, NTT Corporation |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 田所 貴志 / Takashi TADOKORO |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 日本電信電話(株)NTTフォトニクス研究所:(現)東京電機大学 NTT Photonics Laboratories, NTT Corporation |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 神徳 正樹 / Masaki KOHTOKU |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 日本電信電話(株)NTTフォトニクス研究所 NTT Photonics Laboratories, NTT Corporation |
| 発表年月日 | 2012-06-22 |
| 資料番号 | OPE2012-11,LQE2012-15 |
| 巻番号（vol） | vol.112 |
| 号番号（no） | 98 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |