| 講演名 | 2012-06-22 コンタクトエピタキシャル法による酸化物結晶薄膜の形成(酸化物,酸化物エレクトロニクス,一般) 野毛 悟, 小西 顕太, |
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| 抄録(和) | 著者等は機能性薄膜の形成方法の1つとして,非晶質膜上への単結晶薄膜形成法について検討を続けている.グラフォエピタキシャル成長法なども研究されているが課題の解決には至っていない.本報告は,SiO_2のような非晶質基板上への薄膜単結晶形成方法を提案するものである.提案手法は,酸化物結晶薄膜形成時における下地基板への依存性という課題を解決する一つの方法として有効であると考えられる. |
| 抄録(英) | This paper presents a method for the growth of oxide single crystal thin films on an amorphous substrate. At the first, we investigated growth of a cerium substituted YIG (Ce:YIG) single crystal film on SiO_2 substrate. This method is consisted of two steps. The first step was the deposition of an amorphous film of CeY_2Fe_5O_<12> on a SiO_2 substrate by RF-magnetron sputtering. The second step was crystallizing the film by raising its temperature to around 600 ℃ in a vacuum or in argon (Ar) gas. A single crystal film of Ce:YIG was obtained after this thermal treatment. For the thermal treatment process to work, a small chip of GGG plate was placed on top of the film. Before contact with each other, the chip, the surfaces of the chip, and amorphous film were refreshed by Ar plasma. The surface refreshing process was decisive for single crystal growth. |
| キーワード(和) | YIG / セリウム置換YIG / 単結晶薄膜 / エピタキシャル / 熱処理 |
| キーワード(英) | YIG / Cerium Substituted YIG / Single Crystal Film / Epitaxial / Thermal Treatment |
| 資料番号 | EMD2012-11,CPM2012-28,OME2012-35 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | OME |
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| 開催期間 | 2012/6/15(から1日開催) |
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| テーマ（英） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Organic Material Electronics (OME) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | コンタクトエピタキシャル法による酸化物結晶薄膜の形成(酸化物,酸化物エレクトロニクス,一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Crystalline Oxide Thin Film Fabrication Using Crystal Contact Epitaxy Technique |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | YIG / YIG |
| キーワード(2)（和/英） | セリウム置換YIG / Cerium Substituted YIG |
| キーワード(3)（和/英） | 単結晶薄膜 / Single Crystal Film |
| キーワード(4)（和/英） | エピタキシャル / Epitaxial |
| キーワード(5)（和/英） | 熱処理 / Thermal Treatment |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 野毛 悟 / Satoru NOGE |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 沼津工業高専電気電子工学科 Electrical and Electronics Engineering, Numazu NCT |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 小西 顕太 / Kentaro KONISHI |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 沼津工業高専専攻科 Advanced course, Numazu NCT |
| 発表年月日 | 2012-06-22 |
| 資料番号 | EMD2012-11,CPM2012-28,OME2012-35 |
| 巻番号（vol） | vol.112 |
| 号番号（no） | 97 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |