| 講演名 | 2012-06-22 触媒反応生成高エネルギーH_2Oを用いてガラス基板上に成長したZnO膜の特性 : スパッタ法によるバッファー層挿入効果(酸化物,酸化物エレクトロニクス,一般) 小柳 貴寛, 里本 宗一, 佐藤 魁, 加藤 孝弘, 片桐 裕則, 神保 和夫, 安井 寛治, |
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| 抄録(和) | 白金ナノ粒子表面での水素と酸素の発熱反応を利用して高エネルギーH_2Oを生成、アルキル亜鉛ガスと衝突させ形成した高エネルギーZnOプリカーサを基板に供給、ZnO結晶膜を成長させた。透明導電膜への応用を目指し、ガラス基板上への成長におけるスパッタバッファー層の挿入効果を調べた。その結果、適切な厚さのスパッタバッファー層を挿入することで結晶配向性が改善すると共に、Hall移動度の値が大きくなりバッファー層挿入無しの膜に比べ低抵抗率の膜が得られた。 |
| 抄録(英) | ZnO thin films were grown through a reaction between dimethylzinc and high-energy H_2O produced by a Pt-catalyzed H_2 O_2 reaction. For the application of transparent conductive thin films, the ZnO films were grown on glass substrates with and without sputtered buffer layers deposited at 250℃. By the insertion of the buffer layer with an appropriate thickness, crystal orientation along c-axis was improved. Optical transparency and electrical resistivity were also improved by the insertion of the buffer layer. |
| キーワード(和) | ZnO / 触媒反応 / CVD / ガラス基板 / X線回折 / 光透過率 / 抵抗率 |
| キーワード(英) | ZnO / catalytic reaction / CVD / glass substrate / X-ray diffraction / optical transparency / resistivity |
| 資料番号 | EMD2012-10,CPM2012-27,OME2012-34 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | OME |
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| 開催期間 | 2012/6/15(から1日開催) |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Organic Material Electronics (OME) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 触媒反応生成高エネルギーH_2Oを用いてガラス基板上に成長したZnO膜の特性 : スパッタ法によるバッファー層挿入効果(酸化物,酸化物エレクトロニクス,一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Characteristics of ZnO films grown on glass substrates using high-energy H_2O generated by a catalytic reaction : Effect of a sputter deposited buffer layer |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | ZnO / ZnO |
| キーワード(2)（和/英） | 触媒反応 / catalytic reaction |
| キーワード(3)（和/英） | CVD / CVD |
| キーワード(4)（和/英） | ガラス基板 / glass substrate |
| キーワード(5)（和/英） | X線回折 / X-ray diffraction |
| キーワード(6)（和/英） | 光透過率 / optical transparency |
| キーワード(7)（和/英） | 抵抗率 / resistivity |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 小柳 貴寛 / T. Oyanagi |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 長岡技術科学大学 Nagaoka University of Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 里本 宗一 / S. SATOMOTO |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 長岡技術科学大学 Nagaoka University of Technology |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 佐藤 魁 / Kai SATO |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 長岡技術科学大学 Nagaoka University of Technology |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 加藤 孝弘 / Takahiro KATO |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 長岡技術科学大学 Nagaoka University of Technology |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 片桐 裕則 / H. KATAGIRI |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 長岡工業高等専門学校 Nagaoka National College of Technology |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 神保 和夫 / K. JINBO |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 長岡工業高等専門学校 Nagaoka National College of Technology |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 安井 寛治 / Kanji YASUI |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 長岡技術科学大学 Nagaoka University of Technology |
| 発表年月日 | 2012-06-22 |
| 資料番号 | EMD2012-10,CPM2012-27,OME2012-34 |
| 巻番号（vol） | vol.112 |
| 号番号（no） | 97 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
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