講演名 2012-06-22
キセノンランプ照射時のプリント配線パターン導体間のESDサージに対するフラッシオーバ電圧特性(EMC,一般)
坪井 浩太郎, 岩井 将, 大塚 信也,
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抄録(和) 静電気放電(ESD:Electrostatic discharge)によるサージに対するプリント配線パターン導体間のフラッシオーバ電圧(FOV)にはばらつきが認められる.これは,初期電子発生確率や放電進展のばらつきによることが知られている.プリント配線パターン導体間ギャップgのESDサージに対するFOVの特性理解や,ESD耐性の高い電子機器開発のためには,FO試験の再現性向上が重要課題である.本論文では,キセノン(Xe)ランプ照射がFOV特性に及ぼす影響を調べることを目的とし,プリント配線パターン導体間ギャップgにおけるFOVの標準偏差,σや50%FOVであるV_<50>,をに着目して調べた.その結果,Xeランプ照射によりV_<50>は20%低下することや,σはFO試験の昇圧ステップΔV(=0.1kV)程度まで低下することが示された.Xeランプ照射により,V_<50>,g<1.0mmではパッシェン曲線に従い,他方g>1.0mmではToeplerの式で評価できることが示された.
抄録(英) Flashover voltages (FOVs) between foil conductors on printed wiring board (PWB) by electrostatic discharge (ESD) have a dispersion even at the same condition test. This dispersion could be caused by probabilities of initial electron generation (statistical time lag) and/or discharge development (formative time lag). In order to understand the FOV properties and develop the electronic devices with high immunity for ESD, it is important to the improve the repeatability of FO test. In this paper, we investigated FOV properties between foil conductors on PWB by xenon (Xe) lump irradiation. As a result, it was found that σ decreased to step ΔV (= 0.1kV) and V_<50> also decreases by 20% by Xe lump irradiation. V50 agreed with the Paschen curve below the g = 1.0 mm, and trend of the Toepler's equation over g = 1.0 mm.
キーワード(和) 静電気放電 / プリント配線板 / フラッシオーバ / キセノンランプ
キーワード(英) Electrostatic discharge / Printed wiring board / Flashover / Xenon lump
資料番号 EMCJ2012-29
発行日

研究会情報
研究会 EMCJ
開催期間 2012/6/15(から1日開催)
開催地(和)
開催地(英)
テーマ(和)
テーマ(英)
委員長氏名(和)
委員長氏名(英)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和)
幹事氏名(英)
幹事補佐氏名(和)
幹事補佐氏名(英)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Electromagnetic Compatibility (EMCJ)
本文の言語 JPN
タイトル(和) キセノンランプ照射時のプリント配線パターン導体間のESDサージに対するフラッシオーバ電圧特性(EMC,一般)
サブタイトル(和)
タイトル(英) Flashover Voltage Properties between Foil Conductors on Printed Wiring Board for ESD Surge by Xenon Lump Irradiation
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) 静電気放電 / Electrostatic discharge
キーワード(2)(和/英) プリント配線板 / Printed wiring board
キーワード(3)(和/英) フラッシオーバ / Flashover
キーワード(4)(和/英) キセノンランプ / Xenon lump
第 1 著者 氏名(和/英) 坪井 浩太郎 / Kotaro TSUBOI
第 1 著者 所属(和/英) 九州工業大学
Kyushu Institute of Technology
第 2 著者 氏名(和/英) 岩井 将 / Sho IWAI
第 2 著者 所属(和/英) 九州工業大学
Kyushu Institute of Technology
第 3 著者 氏名(和/英) 大塚 信也 / Shinya OHTSUKA
第 3 著者 所属(和/英) 九州工業大学
Kyushu Institute of Technology
発表年月日 2012-06-22
資料番号 EMCJ2012-29
巻番号(vol) vol.112
号番号(no) 100
ページ範囲 pp.-
ページ数 4
発行日