| 講演名 | 2012-05-18 電気化学堆積Cu_2O薄膜へのH_2O_2処理(酸化物(成膜・評価).電子源,結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料)) 宋 瑛, 市村 正也, |
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| 抄録(和) | Cu_2Oはヘテロ接合型太陽電池への光吸収層として応用されている。しかし、バンドギャップが太陽電池の最適値より大きいという欠点がある。本研究では、バンドギャップを制御するため、電気化学堆積のCu_2O薄膜をH_2O_2(30%)に浸して酸化したCu_2O薄膜はCuSO_4の水溶液(乳酸とKOH水溶液でpHを12.5に調整)を用い、40℃付近でガルバノスタットの電気化学堆積法でITOの上に堆積した。そして作製したCu_2O薄膜を90℃まで加熱したH_2O_2(30%)中で10,20と30分酸化処理を試みた。H_2O_2処理によってCu_2O薄膜の酸素組成比を増加させ、バンドギャップを縮小させることができた。 |
| 抄録(英) | Cu_2O is considered to be promising as an absorber layer material of solar cells, but its band gap is larger than the optimum one. Therefore, we attempted to oxidize Cu_2O using H_2O_2 to increase oxygen ratio and decrease band gap. Cu_2O thin films were deposited on indium-tin-oxide-coated glass from an aqueous solution containing CuSO_4, lactic acid and KOH by the galvanostatic electrochemical deposition at 40℃ with current density of -1mA/cm^2. Then, the as-prepared copper oxide thin film was dipped in H_2O_2 (30%) at 90℃ to oxidize for 10, 20 or 30 minutes. By the H_2O_2 treatment, the oxygen content was increased, and the band gap was decreased. |
| キーワード(和) | Cu_2O薄膜 / H_2O_2処理 / 光吸収 / 組成比率 |
| キーワード(英) | Cu_2O thin film / H_2O_2 treatment / photo-absorption / composition ratio |
| 資料番号 | ED2012-35,CPM2012-19,SDM2012-37 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2012/5/10(から1日開催) |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 電気化学堆積Cu_2O薄膜へのH_2O_2処理(酸化物(成膜・評価).電子源,結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料)) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | H_2O_2 Treatment of the Cu_2O Thin Films deposited by the Electrochemical method |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | Cu_2O薄膜 / Cu_2O thin film |
| キーワード(2)（和/英） | H_2O_2処理 / H_2O_2 treatment |
| キーワード(3)（和/英） | 光吸収 / photo-absorption |
| キーワード(4)（和/英） | 組成比率 / composition ratio |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 宋 瑛 / Ying Song |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学機能工学専攻 Dept. Eng. Phys., Electronics, Mech., Nagoya Institute of Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 市村 正也 / M. Ichimura |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学機能工学専攻 Dept. Eng. Phys., Electronics, Mech., Nagoya Institute of Technology |
| 発表年月日 | 2012-05-18 |
| 資料番号 | ED2012-35,CPM2012-19,SDM2012-37 |
| 巻番号（vol） | vol.112 |
| 号番号（no） | 34 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |