| 講演名 | 2012-05-18 硫酸ガリウム水溶液からの酸化ガリウムの電解析出(酸化物(成膜・評価).電子源,結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料)) ヴェッキーゾ ジュニ ジョン, 市村 正也, |
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| 抄録(和) | 硫酸ガリウム水溶液に少量のNa_2S_2O_3とH_2O_2.を加えた水溶液から電解析出によって酸化ガリウム薄膜を堆積し、堆積電圧、溶液組成、堆積時間などの諸パラメータが堆積膜の性質に与える影響を調べた。オージェ電子分光により組成を評価した。堆積膜は酸素過剰組成であり、少量の硫黄を含むことがある。光電気化学測定により、堆積膜がn型の伝導性と光伝導性を持つことが示された。 |
| 抄録(英) | Gallium oxide (Ga_2O_3) thin films were prepared by employing facile electrodeposition technique from aqueous gallium sulfate solution with small amount of Na_2S_2O_3 and H2O_2. Effects of different deposition parameters such as deposition voltage, amount of H_2O_2 and deposition time were investigated and presented in this report. Sulfur peak could appear in the Auger electron spectroscopy (AES) spectra of the films deposited using Ga_2(SO_4)_3-Na_2S2O_3-H_2O_2 solution depending on the applied voltage and deposition time. As-deposited films showed oxygen-rich characteristics as evident in the AES result. The films exhibited n-type conductivity and good photosensitivity from photoelectrochemical measurement. |
| キーワード(和) | 酸化ガリウム / 電解析出 / オージェ電子分光 / 光電気化学測定 |
| キーワード(英) | Gallium oxide / electrodeposition / AES / photoelectrochemical measurement |
| 資料番号 | ED2012-34,CPM2012-18,SDM2012-36 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2012/5/10(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | ENG |
| タイトル（和） | 硫酸ガリウム水溶液からの酸化ガリウムの電解析出(酸化物(成膜・評価).電子源,結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料)) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Electrodeposition of Ga_2O_3 Thin Films from Aqueous Gallium Sulfate Solutions |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 酸化ガリウム / Gallium oxide |
| キーワード(2)（和/英） | 電解析出 / electrodeposition |
| キーワード(3)（和/英） | オージェ電子分光 / AES |
| キーワード(4)（和/英） | 光電気化学測定 / photoelectrochemical measurement |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | ヴェッキーゾ ジュニ ジョン / Junie Jhon M. VEQUIZO |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学機能工学専攻 Dept. Eng. Phys., Electronics, Mech., Nagoya Institute of Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 市村 正也 / Masaya ICHIMURA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学機能工学専攻 Dept. Eng. Phys., Electronics, Mech., Nagoya Institute of Technology |
| 発表年月日 | 2012-05-18 |
| 資料番号 | ED2012-34,CPM2012-18,SDM2012-36 |
| 巻番号（vol） | vol.112 |
| 号番号（no） | 34 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | |