| 講演名 | 2012-05-18 第一原理計算によりもとめたCdS/Cu_2ZnSnS_4ヘテロ接合界面バンドオフセットの結晶構造と面方位依存性(酸化物(成膜・評価).電子源,結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料)) ホウ ウジスグリム, 市村 正也, |
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| 抄録(和) | Cu_2ZnSnS_4(CZTS)はヘテロ接合太陽電池の光吸収層材料として注目されている物質である。本研究では、第一原理計算によってCdS/CZTSヘテロ接合界面のエネルギバンドオフセット(不連続値)を計算した。CZTSがケステライト構造をとるとき、CdS(001)/CZTS(001)ヘテロ構造では価電子帯不連続値ΔE_v=l.2eVが得られ、CdS(010)/CZTS(010)構造ではΔE_v=1.0eVが得られた。CZTSの伝導帯端はCdSの伝導帯端より上であるCZTSがスタナイト構造をとるときCdS(001)/CZTS(001)構造ではΔE_v=1.1eVであった。 |
| 抄録(英) | Cu_2ZnSnS_4 (CZTS) has attracted much attention recently as an absorber layer material in a heterojunction solar cell. Using the first-principles method, we calculated the band offset for the CdS/Cu_2ZnSnS_4 heterojunction. When Cu_2ZnSnS_4 is considered to crystallize in the kesterite structure, the valence band offset ΔE_v=1.2 eV for the CdS(001)/Cu_2ZnSnS_4(001) supercell, and ΔE_v=1.0 eV for the CdS(010)/Cu_2ZnSnS_4(010) supercell. When Cu_2ZnSnS_4 is considered to crystallize in stanite structure, ΔE_v=1.1 eV for the CdS(001)/Cu_2ZnSnS_4(001) supercell. |
| キーワード(和) | Cu_2ZnSnS_4 / バンドオフセット / ヘテロ界面 / ヘテロ界面 / 面方位 |
| キーワード(英) | Cu_2ZnSnS_4 / band offset / heterointerface / crystal structure / orientation |
| 資料番号 | ED2012-33,CPM2012-17,SDM2012-35 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2012/5/10(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 第一原理計算によりもとめたCdS/Cu_2ZnSnS_4ヘテロ接合界面バンドオフセットの結晶構造と面方位依存性(酸化物(成膜・評価).電子源,結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料)) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Influences of Crystal Structure and Orientation on Band Offsets at the CdS/Cu_2ZnSnS_4 Interface by First Principles Study |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | Cu_2ZnSnS_4 / Cu_2ZnSnS_4 |
| キーワード(2)（和/英） | バンドオフセット / band offset |
| キーワード(3)（和/英） | ヘテロ界面 / heterointerface |
| キーワード(4)（和/英） | ヘテロ界面 / crystal structure |
| キーワード(5)（和/英） | 面方位 / orientation |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | ホウ ウジスグリム / Wujisiguleng BAO |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学、機能工学専攻 Dept.Eng.Phys.,Electron.,Mech., Nagoya Institute of Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 市村 正也 / Masaya ICHIMURA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学、機能工学専攻 Dept.Eng.Phys.,Electron.,Mech., Nagoya Institute of Technology |
| 発表年月日 | 2012-05-18 |
| 資料番号 | ED2012-33,CPM2012-17,SDM2012-35 |
| 巻番号（vol） | vol.112 |
| 号番号（no） | 34 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | |