| 講演名 | 2012-05-18 SiGe基板上へのひずみGeエピタキシャル層成長と結晶物性評価(ワイドギャップおよびGe(成長・評価・物性),結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料)) 山羽 隆, 中塚 理, 木下 恭一, 依田 眞一, 財満 鎭明, |
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| 抄録(和) | Si系ULSIの性能向上に向けて、高正孔移動度チャネル材料として二軸圧縮ひずみGeが期待されている。我々はSi_<0.5>Ge_<0.5>基板上へのエピタキシャル成長による、高品質ひずみGe層の形成を目指している。顕微ラマン分光法およびX線回折逆格子マッピングによる評価の結果、 Si_<0.5>Ge_<0.5>基板上に形成した膜厚15nmのひずみGe層にひずみ量1.3%の圧縮ひずみを印加できることがわかった。また、ひずみGe層のひずみ緩和率は38%であった。ひずみ緩和の機構を調べるために、Ge/SOIの固相拡散を用いて作製したSi_xGe_<1-x> on Insulator上にもひずみGe層を形成し、60°転位に起因するモザイシティおよび表面ラフネスの評価を行った。また、断面TEM観察の結果より、Si_<0.5>Ge_<0.5>基板上のひずみGe層における表面ラフネスの導入がひずみ緩和につながったことが示唆される。 |
| 抄録(英) | In order to improve on the performance of Si ULSI, biaxially strained Ge channel is expected to be a high mobility channel material. We demonstrate the fabrication of a biaxially compressive strained Ge heteroepitaxial layer on a Si_<1-x>Ge_x substrate. The strain value of the compressive strained Ge layer is estimated to be 1.3% with x-ray diffraction and micro Raman spectroscopy. The degree of strain relaxation for the Ge layer is also estimated to be 38%. We also prepared strained Ge layers on a Si_<1-x>Ge_x layer-on-insulator structure which is formed with solid-phase mixing method for comparison, and investigated the mosaicity and surface roughness of strained Ge layers. |
| キーワード(和) | シリコンゲルマニウム / ゲルマニウム / ひずみ |
| キーワード(英) | silicon germanium / germanium / strain |
| 資料番号 | ED2012-32,CPM2012-16,SDM2012-34 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2012/5/10(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | SiGe基板上へのひずみGeエピタキシャル層成長と結晶物性評価(ワイドギャップおよびGe(成長・評価・物性),結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料)) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Growth and characterization of strained Ge epitaxial layers on SiGe substrates |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | シリコンゲルマニウム / silicon germanium |
| キーワード(2)（和/英） | ゲルマニウム / germanium |
| キーワード(3)（和/英） | ひずみ / strain |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 山羽 隆 / Takashi YAMAHA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 名古屋大学大学院工学研究科 Graduate School of Engineering, Nagoya University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 中塚 理 / Osamu NAKATSUKA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 名古屋大学大学院工学研究科 Graduate School of Engineering, Nagoya University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 木下 恭一 / Kyoichi KINOSHITA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 宇宙航空研究開発機構宇宙科学研究所(JAXA) Institute of Space and Astronautical Science |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 依田 眞一 / Shinichi YODA |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 宇宙航空研究開発機構宇宙科学研究所(JAXA) Institute of Space and Astronautical Science |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 財満 鎭明 / Shigeaki ZAIMA |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 名古屋大学大学院工学研究科 Graduate School of Engineering, Nagoya University |
| 発表年月日 | 2012-05-18 |
| 資料番号 | ED2012-32,CPM2012-16,SDM2012-34 |
| 巻番号（vol） | vol.112 |
| 号番号（no） | 34 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | |