| 講演名 | 2012-05-18 低エネルギー電子線照射を施したp型4H-SiCにおける再結合中心の評価(ワイドギャップおよびGe(成長・評価・物性),結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料)) 吉原 一輝, 加藤 正史, 市村 正也, 畑山 智亮, 大島 武, |
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| 抄録(和) | SiCは大電力、低損失デバイス材料として期待されているが、デバイス性能に多大な影響を与える結晶欠陥を解明するには至っていない。よって結晶欠陥の評価が必要である。過去にp型4H-Sicへの深い準位の評価は数例報告されているものの、再結合中心として振る舞う深い準位についての報告はほとんどされていない。本研究では電子線照射により意図的に欠陥を導入したp型4H-SiC(0001)Si面エピタキシャル試料を用いてCurrent Deep-level Transient Spectroscopyにより価電子帯付近の深い準位の評価を行った。その結果、電子線照射によって炭素空孔や格子間原子による複合欠陥が形成され、再結合中心として振る舞う可能性があることがわかった。 |
| 抄録(英) | Silicon carbide (SiC) is a promising material for high power devices with low energy loss. However we have never completely understood crystal defects in SiC which influence on device performance, therefore we need to study for crystal defects. Although studies for deep-levels in p-type 4H-SiC have been reported, deep-levels acting as recombination centers have been seldom reported. In this work, we have measured deep-levels in (0001) Si face epitaxial p-type 4H-SiC layers with the current deep-level transient spectroscopy (I-DLTS) method. A part of the samples were irradiated by electrons in order to introduce defects. As a result, we found electron irradiation to p-type 4H-SiC would create complex defects behaving as recombination centers rather than the carbon vacancy. |
| キーワード(和) | 4H-SiC / 電流DLTS / 深い準位 / 電子線照射 / 炭素空孔 |
| キーワード(英) | 4H-SiC / I-DLTS / deep-level / electron irradiation / carbon vacancy |
| 資料番号 | ED2012-31,CPM2012-15,SDM2012-33 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2012/5/10(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 低エネルギー電子線照射を施したp型4H-SiCにおける再結合中心の評価(ワイドギャップおよびGe(成長・評価・物性),結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料)) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Characterization of recombination centers in p-type 4H-SiC induced by low-energy electron irradiation |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 4H-SiC / 4H-SiC |
| キーワード(2)（和/英） | 電流DLTS / I-DLTS |
| キーワード(3)（和/英） | 深い準位 / deep-level |
| キーワード(4)（和/英） | 電子線照射 / electron irradiation |
| キーワード(5)（和/英） | 炭素空孔 / carbon vacancy |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 吉原 一輝 / Kazuki YOSHIHARA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学大学院機能工学専攻 Nagoya Institute of Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 加藤 正史 / Masashi KATO |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学大学院機能工学専攻 Nagoya Institute of Technology |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 市村 正也 / Masaya ICHIMURA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学大学院機能工学専攻 Nagoya Institute of Technology |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 畑山 智亮 / Tomoaki HATAYAMA |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 奈良先端科学技術大学院大学 NARA INSTITUTE of SCIENCE and TECHNOLOGY |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 大島 武 / Takeshi OHSHIMA |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 日本原子力開発機構 Japan Atomic Energy Agency |
| 発表年月日 | 2012-05-18 |
| 資料番号 | ED2012-31,CPM2012-15,SDM2012-33 |
| 巻番号（vol） | vol.112 |
| 号番号（no） | 34 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |