講演名 2012-05-25
Electron Devices Fabricated On Diamond Film Surface For Application To Hard Electronics
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抄録(和)
抄録(英) In this paper, basic electrical properties of semiconducting diamond devices were investigated for application to hard electronics. Concretely, I-V characteristics of diamond FET was investigated, and electrical property of amplifier employing diamond FET was characterized. In addition, trap level of diamond film surface was also characterized using pulsed laser irradiation for application to laser emitting diode.
キーワード(和)
キーワード(英) Transmission / diamond / hard electronics / light emitting diode (LED) / FET
資料番号 MW2012-13
発行日

研究会情報
研究会 MW
開催期間 2012/5/17(から1日開催)
開催地(和)
開催地(英)
テーマ(和)
テーマ(英)
委員長氏名(和)
委員長氏名(英)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和)
幹事氏名(英)
幹事補佐氏名(和)
幹事補佐氏名(英)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Microwaves (MW)
本文の言語 ENG
タイトル(和)
サブタイトル(和)
タイトル(英) Electron Devices Fabricated On Diamond Film Surface For Application To Hard Electronics
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) / Transmission
第 1 著者 氏名(和/英) / Young Yun
第 1 著者 所属(和/英)
Korea Maritime University Dept. of Radio Communication Engineering
発表年月日 2012-05-25
資料番号 MW2012-13
巻番号(vol) vol.112
号番号(no) 56
ページ範囲 pp.-
ページ数 2
発行日