| 講演名 | 2012-05-18 金属誘起結晶成長法によるSiC薄膜の低温結晶化の試み(ワイドギャップおよびGe(成長・評価・物性),結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料)) 阿部 克也, 牛草 遼平, 坂口 優也, 周 澤宇, 山上 朋彦, |
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| 抄録(和) | ホットワイヤーCVD法により作製したアモルファスSiC薄膜の表面にAg等の遷移金属薄膜を蒸着し、アニールを施すことで、金属誘起結晶成長(MIC,MILC)法による薄膜の低温結晶化を試みた。その結果、Ag薄膜を堆積してアニールを施した場合は、Si-C結合に起因する800cm^<-1>付近の赤外吸収スペクトルにおけるピークシフトおよび半値幅の減少が、Ag薄膜無しの場合に比べて低い温度のアニールで観測されることが分かり、MILCによるアモルファスSiC薄膜の結晶化温度の低温化が示唆された。 |
| 抄録(英) | Metal induced lateral crystallization (MILC) method was applied to amorphous SiC films grown by hot wire chemical vapor deposition. The vacuum evaporated Ag, Ni and Al films were used as a catalytic metal for MILC. The peak shift and decrease of FWHM at a Si-C stretching mode (～800 cm-1) of FTIR spectra were observed in the annealed SiC films with the Ag catalytic film at a lower annealing temperature compared with the annealed SiC films with no catalytic metal film. This result suggests that the temperature required for crystallization of the amorphous SiC film was reduced by MILC. |
| キーワード(和) | HW-CVD / SiC / 金属有機結晶成長 / MILC |
| キーワード(英) | HW-CVD / SiC / Metal induced crystallization / MILC |
| 資料番号 | ED2012-30,CPM2012-14,SDM2012-32 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2012/5/10(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 金属誘起結晶成長法によるSiC薄膜の低温結晶化の試み(ワイドギャップおよびGe(成長・評価・物性),結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料)) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Low temperature crystallization of SiC films by metal induced growth technique |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | HW-CVD / HW-CVD |
| キーワード(2)（和/英） | SiC / SiC |
| キーワード(3)（和/英） | 金属有機結晶成長 / Metal induced crystallization |
| キーワード(4)（和/英） | MILC / MILC |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 阿部 克也 / Katsuya ABE |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 信州大学工学部 Faculty of Engineering, Shinshu University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 牛草 遼平 / Ryohei Ushikusa |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 信州大学工学部 Faculty of Engineering, Shinshu University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 坂口 優也 / Yuya Sakaguchi |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 信州大学工学部 Faculty of Engineering, Shinshu University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 周 澤宇 / Takuu Syu |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 信州大学工学部 Faculty of Engineering, Shinshu University |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 山上 朋彦 / Tomohiko Yamakami |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 信州大学工学部 Faculty of Engineering, Shinshu University |
| 発表年月日 | 2012-05-18 |
| 資料番号 | ED2012-30,CPM2012-14,SDM2012-32 |
| 巻番号（vol） | vol.112 |
| 号番号（no） | 34 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
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