| 講演名 | 2012-05-18 N交互供給によるn-GaPN:Sの有機金属気相成長と電気的特性の検討(ワイドギャップおよびGe(成長・評価・物性),結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料)) 永本 勇矢, 松岡 勝彦, 関口 寛人, 岡田 浩, 若原 昭浩, |
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| 抄録(和) | Siとの多接合型太陽電池への応用が期待されるGaPN混晶はS添加することでn型とした場合、ドナーの活性化率が低く、電子の移動度が低下する。そこで、有機金属気相成長法により、N原料であるUDMHyを交互供給することで、Nの取り込みを制御し、キャリア濃度及び電子移動度の改善を行ったHall効果測定により、連続供給n-GaPN:Sと比較してN交互供給n-GaPN:S は、同じN組成においてもキャリア濃度の増加が見られ、電子移動度はn-GaP:Sと同程度まで改善した。 |
| 抄録(英) | GaPN has received much attention for multi-junction solar cells with Si. However, electron mobility of n-GaPN:S was very low compare to n-GaP:S. The growth and electrical properties of n-type GaPN:S layer using alternately N supplied by organometallic vapor phase epitaxy are investigated. The N composition of alternately supplied is two times higher than that of continuous supplied on same flow condition of unsymmetrical dimethyl-hydrazine as the N source. The electron concentration and electron mobility are improved by alternately N supply method. |
| キーワード(和) | |
| キーワード(英) | |
| 資料番号 | ED2012-29,CPM2012-13,SDM2012-31 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2012/5/10(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | N交互供給によるn-GaPN:Sの有機金属気相成長と電気的特性の検討(ワイドギャップおよびGe(成長・評価・物性),結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料)) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Electrical Property of n-type GaPN:S Grown by Alternately N Supplied Organometallic Vapor Phase Epitaxy |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 永本 勇矢 / Yuya NAGAMOTO |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 豊橋技術科学大学電気・電子情報工学専攻 Department of Electrical and Electronic Information Engineering, Toyohashi technology of University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 松岡 勝彦 / Katsuhiko MATSUOKA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 豊橋技術科学大学電気・電子情報工学専攻 Department of Electrical and Electronic Information Engineering, Toyohashi technology of University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 関口 寛人 / Hiroto SEKIGUCHI |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 豊橋技術科学大学電気・電子情報工学専攻 Department of Electrical and Electronic Information Engineering, Toyohashi technology of University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 岡田 浩 / Hiroshi OKADA |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 豊橋技術科学大学電気・電子情報工学専攻 Department of Electrical and Electronic Information Engineering, Toyohashi technology of University |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 若原 昭浩 / Akihiro WAKAHARA |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 豊橋技術科学大学電気・電子情報工学専攻 Department of Electrical and Electronic Information Engineering, Toyohashi technology of University |
| 発表年月日 | 2012-05-18 |
| 資料番号 | ED2012-29,CPM2012-13,SDM2012-31 |
| 巻番号（vol） | vol.112 |
| 号番号（no） | 34 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | |