| 講演名 | 2012-05-18 縦型GaNデバイスを目指したGaN基板の評価(FET,界面・結晶評価,結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料)) 加地 徹, 上杉 勉, |
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| 抄録(和) | 10^5～10^6cm^<-2>の転位密度を有するGaN基板にpnダイオード,ショットキーダイオードを作製し,基板上下方向の電流リークと貫通転位の関係を評価した.その結果,刃状転位および刃状と螺旋の混合転位はリークパスとならないことを確認した. |
| 抄録(英) | Effects of dislocations in GaN substrates to leakage current have been evaluated using pn and Shottky diodes. The results revealed that the edge dislocations and mix dislocations don't induce the leakage current even at > 1kV reverse bias. |
| キーワード(和) | GaN基板 / 貫通転位 / 刃状転位 / 螺旋転位 / リーク電流 |
| キーワード(英) | GaN substrate / threading dislocation / edge dislocation / mix dislocation / leakage current |
| 資料番号 | ED2012-28,CPM2012-12,SDM2012-30 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2012/5/10(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 縦型GaNデバイスを目指したGaN基板の評価(FET,界面・結晶評価,結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料)) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Evaluation of GaN substrates for vertical GaN power device applications |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | GaN基板 / GaN substrate |
| キーワード(2)（和/英） | 貫通転位 / threading dislocation |
| キーワード(3)（和/英） | 刃状転位 / edge dislocation |
| キーワード(4)（和/英） | 螺旋転位 / mix dislocation |
| キーワード(5)（和/英） | リーク電流 / leakage current |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 加地 徹 / Tetsu KACHI |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 株式会社豊田中央研究所 Toyota Central R&D Labs., Inc. |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 上杉 勉 / Tsutomu UESUGI |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 株式会社豊田中央研究所 Toyota Central R&D Labs., Inc. |
| 発表年月日 | 2012-05-18 |
| 資料番号 | ED2012-28,CPM2012-12,SDM2012-30 |
| 巻番号（vol） | vol.112 |
| 号番号（no） | 34 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |