| 講演名 | 2012-05-18 ドライエッチ面を含むAl_2O_3O_3/AlGaN/GaN構造の界面評価(FET,界面・結晶評価,結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料)) 谷田部 然治, 堀 祐臣, 金 聖植, 橋詰 保, |
|---|---|
| PDFダウンロードページ |  PDFダウンロードページへ |
| 抄録(和) | ドライエッチングしたAlGaN表面に形成したMOS構造の評価を行った.ドライエッチングには、Cl_2/BCl_3ガスによるICP支援プラズマ法を用いた.ドライエッチ後、原子層堆積法を用いてAlGaN/GaN表面にAl_2O_3層を堆積し、絶縁ゲート構造を作製した.その界面特性を容量-電圧(C-V)、及び光支援C-V法により評価した.光照射に起因するしきい値電圧平行シフト量がICPエッチング後には大きくなっていることから、ICPエッチングによりAl_2O_3/AlGaN界面準位密度が増加することが明らかになった.またX線光電子分光法(XPS)による評価から、界面準位密度増加の原因はドライエッチング後のAlGaN表面の窒素欠乏である可能性が示唆された. |
| 抄録(英) | Our aim is to investigate the effects of dry etching of AlGaN surface on interface properties of GaN-based MOS structure. ICP-assisted plasma with Cl_2/BCl_3 gas mixture was used for the dry etching. After the dry etching, we fabricated an Al_2O_3-insulated gate on AlGaN/GaN surface by atomic layer depositon (ALD). To characterize the interface properties of Al_2O_3/AlGaN, we performed standard capacitance-voltage (C-V) measurements and photo-assisted method. The lager threshold voltage shift due to the photo-assisted electron emission indicated that the ICP etching leads to an increase the Al_2O_3/AlGaN interface states density. From the X-ray photoelectron spectroscopy, we observed that the ICP process induced the nitrogen vacancy at the AlGaN surface, causing high-density of electron states at Al_2O_3/AlGaN interface. |
| キーワード(和) | ドライエッチング / ICP / AlGaN / MOS / Al_2O_3 / C-V / 界面準位 |
| キーワード(英) | dryetching / ICP / AlGaN / MOS / Al_2O_3 / C-V / interface state |
| 資料番号 | ED2012-27,CPM2012-11,SDM2012-29 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
|---|---|
| 開催期間 | 2012/5/10(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
|---|---|
| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | ドライエッチ面を含むAl_2O_3O_3/AlGaN/GaN構造の界面評価(FET,界面・結晶評価,結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料)) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Interface characterization of GaN-based MOS heterostructures employing ICP-etched AlGaN surfaces |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | ドライエッチング / dryetching |
| キーワード(2)（和/英） | ICP / ICP |
| キーワード(3)（和/英） | AlGaN / AlGaN |
| キーワード(4)（和/英） | MOS / MOS |
| キーワード(5)（和/英） | Al_2O_3 / Al_2O_3 |
| キーワード(6)（和/英） | C-V / C-V |
| キーワード(7)（和/英） | 界面準位 / interface state |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 谷田部 然治 / Zenji YATABE |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター Research Center for Integrated Quantum Electronics, Hokkaido University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 堀 祐臣 / Yujin HORI |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター Research Center for Integrated Quantum Electronics, Hokkaido University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 金 聖植 / Sungsik KIM |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター Research Center for Integrated Quantum Electronics, Hokkaido University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 橋詰 保 / Tamotsu HASHIZUME |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター:JST-CREST Research Center for Integrated Quantum Electronics, Hokkaido University |
| 発表年月日 | 2012-05-18 |
| 資料番号 | ED2012-27,CPM2012-11,SDM2012-29 |
| 巻番号（vol） | vol.112 |
| 号番号（no） | 34 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |