| 講演名 | 2012-05-17 光化学堆積SnO_2薄膜を用いた小型携帯式水素センサの試作(センサ,結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料)) オ ドンポリル, 森口 幸久, 市村 正也, |
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| 抄録(和) | 光化学堆積(PCD)法を用いて不純物ドーピングありとなしのSnO_2薄膜を作製し、高感度の室温動作水素ガスセンサを作製した。堆積溶液を基板上に垂らし、そこへ超高圧水銀ランプの光を照射することでSnO_2薄膜を作製した。堆積された薄膜に光照射Pd処理を施し、アニールすることで水素ガスセンサを作製した。不純物ドーピングありとなしの試料とも水素(5%H_2+Ar(0.1atm))に対し10^3以上の抵抗減少率を示した。さらに作製された試料をポケットテスターと組み合わせることにより小型携帯式水素検出器の作製を試み、その応答を確認した。 |
| 抄録(英) | We fabricated highly sensitive room temperature hydrogen sensors based on doped and undoped SnO_2 films by the photochemical deposition. For deposition of doped and undoped SnO_2 films, a small amount of the solution was dropped on the glass substrate and irradiated by the UV light. Pd was doped to the surface of the SnO_2 thin films by the photo irradiation, and then the samples were annealed. The doped and undoped samples showed resistance decrease by a factor >10^3 for a 5%H_2+Ar mixed gas (0.1atm) at room temperature. Furthermore, by combining the sample with a pocket tester, we fabricated the portable type hydrogen detector, and the response was investigated. |
| キーワード(和) | 光化学堆積(PCD)法 / SnO_2 / 室温動作水素ガスセンサ / 抵抗 |
| キーワード(英) | photochemical deposition (PCD) / SnO_2 / room temperature hydrogen sensor / resistance |
| 資料番号 | ED2012-24,CPM2012-8,SDM2012-26 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2012/5/10(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 光化学堆積SnO_2薄膜を用いた小型携帯式水素センサの試作(センサ,結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料)) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Fabrication of portable hydrogen sensors based on photochemically deposited SnO_2 thin films |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 光化学堆積(PCD)法 / photochemical deposition (PCD) |
| キーワード(2)（和/英） | SnO_2 / SnO_2 |
| キーワード(3)（和/英） | 室温動作水素ガスセンサ / room temperature hydrogen sensor |
| キーワード(4)（和/英） | 抵抗 / resistance |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | オ ドンポリル / Dengbaoleer AO |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学大学院機能工学専攻 Department of Engineering Physics, Electronics and Mechanics, Nagoya Institute of Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 森口 幸久 / Yukihisa MORIGUCHI |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学大学院機能工学専攻 Department of Engineering Physics, Electronics and Mechanics, Nagoya Institute of Technology |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 市村 正也 / Masaya ICHIMURA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学大学院機能工学専攻 Department of Engineering Physics, Electronics and Mechanics, Nagoya Institute of Technology |
| 発表年月日 | 2012-05-17 |
| 資料番号 | ED2012-24,CPM2012-8,SDM2012-26 |
| 巻番号（vol） | vol.112 |
| 号番号（no） | 34 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |