講演名 2012-05-17
γ-Al_2O_3/Si基板上のエピタキシャルPZT薄膜を用いた超音波トランスデューサアレイの作製と送受信特性(センサ,結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
尾崎 勝弥, 西村 将人, 鈴木 啓佑, 沼田 泰幸, 岡田 長也, 赤井 大輔, 石田 誠,
PDFダウンロードページ PDFダウンロードページへ
抄録(和) 本研究では、エピタキシャルPZT/SrRuO_3/Pt/γ-Al_2O_3/Si構造を用いた8×8chの2DpMUTsアレイを作製し、超音波の受信実験および送信実験を行った。受信信号のばらつきの平均化と送信音圧の向上のため1chは42個の振動子とし、医療診断装置で一般的に用いられるMHz帯を念頭に1素子の直径は100μmで作製した。作製したデバイスにおいて超音波の伝搬速度の違いを使用した文字のイメージングに成功した。また、1.2MHzでの超音波の送信に成功した。これらの結果から、送受信可能な超音波トランスデューサアレイの実現が期待できる。
抄録(英) In this work, we propose ultrasonic transducer array using epitaxial PZT thin film on γ-Al_2O_3/Si substrate for medical application. Ultrasonic transducer array containing 64ch (8×8 arrays) with 100μm-diameter circle shape element was fabricated. Detection properties of ultrasonic were measured in water with a ceramics PZT transducer as a point ultrasonic source. The imaging of some characters made with the acrylic plate was tried, and it successfully imaged the characters. Also, ultrasonic transmission at 1.2MHz was confirmed. Therefore, piezoelectric micro-machined ultrasonic transducers which can receive and transmit can be expected.
キーワード(和) 超音波トランスデューサ / 2Dアレイ / PZT / エピタキシャル / γ-Al_2O_3
キーワード(英) piezoelectric micro-machined ultrasonic transducer (PMUT) / 2D array / PZT / epitaxial / γ-Al_2O_3
資料番号 ED2012-23,CPM2012-7,SDM2012-25
発行日

研究会情報
研究会 SDM
開催期間 2012/5/10(から1日開催)
開催地(和)
開催地(英)
テーマ(和)
テーマ(英)
委員長氏名(和)
委員長氏名(英)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和)
幹事氏名(英)
幹事補佐氏名(和)
幹事補佐氏名(英)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Silicon Device and Materials (SDM)
本文の言語 JPN
タイトル(和) γ-Al_2O_3/Si基板上のエピタキシャルPZT薄膜を用いた超音波トランスデューサアレイの作製と送受信特性(センサ,結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
サブタイトル(和)
タイトル(英) Fabrication and transmit-receive characteristics of ultrasonic transducers array using epitaxial PZT thin films on γ-Al_2O_3/Si substrates
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) 超音波トランスデューサ / piezoelectric micro-machined ultrasonic transducer (PMUT)
キーワード(2)(和/英) 2Dアレイ / 2D array
キーワード(3)(和/英) PZT / PZT
キーワード(4)(和/英) エピタキシャル / epitaxial
キーワード(5)(和/英) γ-Al_2O_3 / γ-Al_2O_3
第 1 著者 氏名(和/英) 尾崎 勝弥 / Katsuya OZAKI
第 1 著者 所属(和/英) 豊橋技術科学大学電気・電子情報工学系
Department of Electric and Electronic Information Engineering, Toyohashi University of Technology
第 2 著者 氏名(和/英) 西村 将人 / Masato NISHIMURA
第 2 著者 所属(和/英) 豊橋技術科学大学電気・電子情報工学系
Department of Electric and Electronic Information Engineering, Toyohashi University of Technology
第 3 著者 氏名(和/英) 鈴木 啓佑 / Keisuke SUZUKI
第 3 著者 所属(和/英) 豊橋技術科学大学電気・電子情報工学系
Department of Electric and Electronic Information Engineering, Toyohashi University of Technology
第 4 著者 氏名(和/英) 沼田 泰幸 / Yasuyuki NUMATA
第 4 著者 所属(和/英) 豊橋技術科学大学電気・電子情報工学系
Department of Electric and Electronic Information Engineering, Toyohashi University of Technology
第 5 著者 氏名(和/英) 岡田 長也 / Nagaya OKADA
第 5 著者 所属(和/英) 本多電子株式会社
Honda Electronics Co. Ltd.
第 6 著者 氏名(和/英) 赤井 大輔 / Daisuke AKAI
第 6 著者 所属(和/英) 豊橋技術科学大学電気・電子情報工学系:豊橋技術科学大学エレクトロニクス先端融合研究所(EIIRIS)
Department of Electric and Electronic Information Engineering, Toyohashi University of Technology:Electronics-Inspired Interdisciplinary Research Institute (EIIRIS), Toyohashi University of Technology
第 7 著者 氏名(和/英) 石田 誠 / Makoto ISHIDA
第 7 著者 所属(和/英) 豊橋技術科学大学電気・電子情報工学系:豊橋技術科学大学エレクトロニクス先端融合研究所(EIIRIS)
Department of Electric and Electronic Information Engineering, Toyohashi University of Technology:Electronics-Inspired Interdisciplinary Research Institute (EIIRIS), Toyohashi University of Technology
発表年月日 2012-05-17
資料番号 ED2012-23,CPM2012-7,SDM2012-25
巻番号(vol) vol.112
号番号(no) 34
ページ範囲 pp.-
ページ数 5
発行日