講演名 | 2012-05-17 MEMSファブリペロー干渉計を用いた表面応力センサによる非標識たんぱく質検出(センサ,結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料)) 高橋 一浩, 大山 泰生, 三澤 宣雄, 奥村 弘一, 石田 誠, 澤田 和明, |
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抄録(和) | 本研究では、フォトダイオード上にMEMS可動膜を形成し半導体基板とのギャップでファブリペロー干渉計を構成することによって、非標識にたんぱく質を検出するセンサを提案する。ファブリペロー干渉により、膜のたわみに対して、透過率が非線形的に変化することを利用し、表面応力を高感度に検出することができる。従来技術と比較し、非線形変化による信号増幅と分子間力に敏感に反応する有機膜を用いることにより感度を2桁程度向上することが期待できる。試作したセンサ上にウシ血清アルブミン抗体0.1mg/mlを用いて、電流値が23.7nA変化したことを確認し原理検証に成功した。 |
抄録(英) | We have newly developed a label-free protein sensor based on a MEMS Fabry-Perot interferometer integrated with a photodiode, which utilizes nonlinear optical transmittance of the Fabry-Perot interference to enhance the sensitivity of surface stress. A parylene was used for a deformable membrane of the protein sensor because of the high optical transmittance and low Young's modulus. Theoretical minimum detectable surface stress of the proposed sensor is predicted -1 mN/m which istwo orders of magnitude above the peizoresistive type. A photocurrent was demonstrated to shift by 23.7 nA at 3 V bias voltage with immobilized antibodies. |
キーワード(和) | MEMS / たんぱく質センサ / ファブリペロー干渉計 / 非標識 / 表面応力 |
キーワード(英) | MEMS / Protein Sensor / Fabry-Perot Interferometer / Label Free / Surface Stress |
資料番号 | ED2012-22,CPM2012-6,SDM2012-24 |
発行日 |
研究会情報 | |
研究会 | SDM |
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開催期間 | 2012/5/10(から1日開催) |
開催地(和) | |
開催地(英) | |
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幹事補佐氏名(英) |
講演論文情報詳細 | |
申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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本文の言語 | JPN |
タイトル(和) | MEMSファブリペロー干渉計を用いた表面応力センサによる非標識たんぱく質検出(センサ,結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料)) |
サブタイトル(和) | |
タイトル(英) | A Surface-Stress Sensor Based on a MEMS Fabry-Perot Interferometer for Label-Free Protein Detection |
サブタイトル(和) | |
キーワード(1)(和/英) | MEMS / MEMS |
キーワード(2)(和/英) | たんぱく質センサ / Protein Sensor |
キーワード(3)(和/英) | ファブリペロー干渉計 / Fabry-Perot Interferometer |
キーワード(4)(和/英) | 非標識 / Label Free |
キーワード(5)(和/英) | 表面応力 / Surface Stress |
第 1 著者 氏名(和/英) | 高橋 一浩 / Kazuhiro TAKAHASHI |
第 1 著者 所属(和/英) | 豊橋技術科学大学電気・電子情報工学系:JST-CREST Electrical and Electronic Information Engineering, Toyohashi University of Technology:JST-CREST |
第 2 著者 氏名(和/英) | 大山 泰生 / Hiroki OYAMA |
第 2 著者 所属(和/英) | 豊橋技術科学大学電気・電子情報工学系 Electrical and Electronic Information Engineering, Toyohashi University of Technology |
第 3 著者 氏名(和/英) | 三澤 宣雄 / Nobuo MISAWA |
第 3 著者 所属(和/英) | 豊橋技術科学大学エレクトロニクス先端融合研究所 EIIRIS, Toyohashi University of Technology |
第 4 著者 氏名(和/英) | 奥村 弘一 / Koichi Okumura |
第 4 著者 所属(和/英) | 豊橋技術科学大学電気・電子情報工学系 Electrical and Electronic Information Engineering, Toyohashi University of Technology |
第 5 著者 氏名(和/英) | 石田 誠 / Makoto ISHIDA |
第 5 著者 所属(和/英) | 豊橋技術科学大学電気・電子情報工学系:豊橋技術科学大学エレクトロニクス先端融合研究所 Electrical and Electronic Information Engineering, Toyohashi University of Technology:EIIRIS, Toyohashi University of Technology |
第 6 著者 氏名(和/英) | 澤田 和明 / Kazuakio SAWADA |
第 6 著者 所属(和/英) | 豊橋技術科学大学電気・電子情報工学系:豊橋技術科学大学エレクトロニクス先端融合研究所:JST-CREST Electrical and Electronic Information Engineering, Toyohashi University of Technology:EIIRIS, Toyohashi University of Technology:JST-CREST |
発表年月日 | 2012-05-17 |
資料番号 | ED2012-22,CPM2012-6,SDM2012-24 |
巻番号(vol) | vol.112 |
号番号(no) | 34 |
ページ範囲 | pp.- |
ページ数 | 4 |
発行日 |