| 講演名 | 2012-05-17 MOVPE法によるSi基板上GaPの成長速度依存性(Siウェハ上結晶成長・評価・デバイス応用,結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料)) 高木 達也, 華 俊辰, 宮原 亮, 高野 泰, |
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| 抄録(和) | 有機金属気相成長法によりSi基板上にGaPを結晶成長させた。Si基板に4°オフ基板を使用した。成長温度を770-830℃とし、Ga原料(トリメチルガリウム)供給量を変えることによりGaPの成長速度を変化させた。膜厚100nm程度成長させ、得られたGaP層を原子間力顕微鏡観察及び透過電子顕微鏡観察した770℃でトリメチルガリウムの供給量が最大の時以外層状のGaPが得られた。いずれの温度においても成長速度が低くなるにつれ、アンチフェーズドメイン(APD)は小さくなるがその密度は増加した。成長速度が低くなるにつれAPDの直上にGaP が成長しにくいことが解った。成長温度が低くなり成長速度が低くなるとファセット面がでやすくなることも解った。830℃で最適成長速度で100nm成長後APDは完全に埋め込まれていた。 |
| 抄録(英) | GaP layers were grown on 2° and 4° misoriented Si substrates using metalorganic vapor phase epitaxy. GaP was deposited at 770-830℃ with various trimethygallium (TMG) flow rates. Nominal growth thickness was 50-100 nm for each GaP structure. The structures were characterized using atomic force microscopy (AFM) and transmission electron microscopy (TEM). GaP layers were obtained excepted at 770℃ with TMG flow rate of 110 ccm (cc per miniute). Plan view TEM showed that antiphase domain (APD) became small with decreasing TMG flow rate. The density of APD increased with decreasing TMG flow rate. AFM shows many pits in the surface of the layers grown at the low TMG flow rate of 30 ccm. Lateral overgrowth over the APDs is suppressed for the low TMG flow rate. All APDs were embedded in the layers grown at 830℃ with the TMG flow rate of 54, 110 or 150 ccm. |
| キーワード(和) | MOVPE / GaP / シリコン基板上 / アンチフェイズドメイン / 原子間力顕微鏡 / 透過電子顕微鏡 |
| キーワード(英) | MOVPE / GaP / Si substrate / antiphase domain / atomic force microscopy / transmission electron microscopy |
| 資料番号 | ED2012-21,CPM2012-5,SDM2012-23 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2012/5/10(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | MOVPE法によるSi基板上GaPの成長速度依存性(Siウェハ上結晶成長・評価・デバイス応用,結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料)) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Growth-rate dependence of GaP structure grown Si substrates using metalorganic vapor phase epitaxy |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | MOVPE / MOVPE |
| キーワード(2)（和/英） | GaP / GaP |
| キーワード(3)（和/英） | シリコン基板上 / Si substrate |
| キーワード(4)（和/英） | アンチフェイズドメイン / antiphase domain |
| キーワード(5)（和/英） | 原子間力顕微鏡 / atomic force microscopy |
| キーワード(6)（和/英） | 透過電子顕微鏡 / transmission electron microscopy |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 高木 達也 / Tatsuya TAKAGI |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 静岡大学工学部 Faculty of Engineering, Shizuoka University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 華 俊辰 / Shunshin KA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 静岡大学工学部 Faculty of Engineering, Shizuoka University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 宮原 亮 / Ryo MIYAHARA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 静岡大学工学部 Faculty of Engineering, Shizuoka University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 高野 泰 / Yasushi TAKANO |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 静岡大学工学部 Faculty of Engineering, Shizuoka University |
| 発表年月日 | 2012-05-17 |
| 資料番号 | ED2012-21,CPM2012-5,SDM2012-23 |
| 巻番号（vol） | vol.112 |
| 号番号（no） | 34 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | |