| 講演名 | 2012-05-17 Si基板上半極性面(1-101)GdNストライプ上InGaN/GaN多重量子井戸構造の偏光特性(Siウェハ上結晶成長・評価・デバイス応用,結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料)) 久志本 真希, 谷川 智之, 本田 善央, 山口 雅史, 天野 浩, |
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| 抄録(和) | MOVPE法により作製した加工Si基板上半極性面(1-101)GaNストライプ上に室温発光波長435nm～590nm、井戸幅2nm～9nmのInGaN/GaN多重量子井戸構造(MQW)を作製し、偏光特性を測定した。表面からの発光の偏光特性を測定したところ、発光波長が短波長で量子井戸幅が薄い場合、発光の偏光方向はc軸と垂直であった。一方発光波長が長くなる、あるいは井戸幅が厚くなるほど、偏光が平行方向へシフトしていくことが明らかとなった。また、発光波長が短波長である試料の端面(11-22)からの発光特性を測定したところ、ナローイングが観測されるとともに、井戸幅が広くなるにつれてc軸と平行な偏光成分の増加が観測された。このことから、井戸幅とIn組成の制御により偏光の制御が可能であり、任意のLD構造設計への応用が期待される。 |
| 抄録(英) | We grew high-quality semipolar (1-101) GaN stripes on a Si substrate by selective area growth and regrew InGaN/GaN MQW on these stripes with MOVPE. The PL peak wavelength at 300 K and InGaN well thickness for the obtained samples were 435-590 nm and 2-9 nm, respectively. In PL measurements from the surface, we found that a shorter wavelength and thinner well sample have PL polarization perpendicular to the c axis. On the other hand, as the PL wavelength is longer and/or the well is thicker, the PL polarization shifts from perpendicular to parallel. In the PL measurement from the (11 -22) edge surface of the sample with shorter wavelength, we observed the narrowing of PL spectrum. In addition, the parallel component of PL polarization increased with increase in well thickness. Therefore, we can control the direction of polarization by managing well thickness and indium composition and apply to make a LD structure. |
| キーワード(和) | InGaN / 半極性 / 偏光 / 多重量子井戸 / MOVPE / Si基板 |
| キーワード(英) | InGaN / Semipolar / Polarization / MQW / MOVPE / Si substrate |
| 資料番号 | ED2012-20,CPM2012-4,SDM2012-22 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2012/5/10(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | Si基板上半極性面(1-101)GdNストライプ上InGaN/GaN多重量子井戸構造の偏光特性(Siウェハ上結晶成長・評価・デバイス応用,結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料)) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Polarization properties in InGaN/GaN multiple quantum well on semipolar(1-101)GaN/Si |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | InGaN / InGaN |
| キーワード(2)（和/英） | 半極性 / Semipolar |
| キーワード(3)（和/英） | 偏光 / Polarization |
| キーワード(4)（和/英） | 多重量子井戸 / MQW |
| キーワード(5)（和/英） | MOVPE / MOVPE |
| キーワード(6)（和/英） | Si基板 / Si substrate |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 久志本 真希 / Maki KUSHIMOTO |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 名古屋大学大学院工学研究科 Graduate School of Engineering and, Nagoya University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 谷川 智之 / Tomoyuki TANIKAWA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 名古屋大学大学院工学研究科 Graduate School of Engineering and, Nagoya University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 本田 善央 / Yoshio HONDA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 名古屋大学大学院工学研究科 Graduate School of Engineering and, Nagoya University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 山口 雅史 / Masahito YAMAGUCHI |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 名古屋大学大学院工学研究科 Graduate School of Engineering and, Nagoya University |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 天野 浩 / Hiroshi AMANO |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 名古屋大学大学院工学研究科:赤崎記念研究センター Graduate School of Engineering and, Nagoya University:Akasaki Research Center |
| 発表年月日 | 2012-05-17 |
| 資料番号 | ED2012-20,CPM2012-4,SDM2012-22 |
| 巻番号（vol） | vol.112 |
| 号番号（no） | 34 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |