| 講演名 | 2012-05-17 Si基板上無転位発光素子構造の実現に向けたn型およびp型AlGaPN混晶の電気的特性の評価(Siウェハ上結晶成長・評価・デバイス応用,結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料)) 伊藤 宏成, 熊谷 啓助, 関口 寛人, 岡田 浩, 若原 昭浩, |
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| 抄録(和) | 格子整合III-V-N/Si構造において、AlGaPN混晶は、発光素子のクラッド層材料として期待できる。そこで、SおよびMgを不純物材料として、n型およびp型AlGaPNを作製し、Hall効果測定により電気的特性の評価を行った。n型AlGaPNでは、N組成の増加に伴う電子濃度の減少量が、GaPNよりも少ない結果が得られた。これはNの供給量が少ないことにより、不活性化の原因であるS-N結合が形成されにくくなったためであると考えられる。p型AlGaPNでは、正孔移動度の温度依存性より合金散乱が支配的となった。また、活性化エネルギーは、 GaPNと同程度であった。 |
| 抄録(英) | AlGaPN alloys are expected as a cladding layer for Si based monolithic laser structure in optoelectronic integrated circuit. Electrical properties of AlGaPN alloys grown by solid source molecular beam epitaxy have been investigated by Hall effect measurement. In n-type AlGaPN, the decrease of electron concentration with increasing N composition is improved as compared with n-type GaPN. In p-type AlGaPN, the alloy scattering is dominant near the room temperature, and activation energy of the acceptor is the same level in p-type GaPN. |
| キーワード(和) | 光電子集積回路 / III-V-N混晶 / AlGaPN / ドーピング |
| キーワード(英) | OEIC / III-V-N alloy / AlGaPN / doping |
| 資料番号 | ED2012-19,CPM2012-3,SDM2012-21 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2012/5/10(から1日開催) |
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| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | Si基板上無転位発光素子構造の実現に向けたn型およびp型AlGaPN混晶の電気的特性の評価(Siウェハ上結晶成長・評価・デバイス応用,結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料)) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Electrical properties of n- and p-type AlGaPN for dislocation-free light-emitting devices on Si substrate |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 光電子集積回路 / OEIC |
| キーワード(2)（和/英） | III-V-N混晶 / III-V-N alloy |
| キーワード(3)（和/英） | AlGaPN / AlGaPN |
| キーワード(4)（和/英） | ドーピング / doping |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 伊藤 宏成 / Hironari ITO |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 豊橋技術科学大学 Toyohashi University of Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 熊谷 啓助 / Keisuke KUMAGAI |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 豊橋技術科学大学 Toyohashi University of Technology |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 関口 寛人 / Hiroto SEKIGUCHI |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 豊橋技術科学大学 Toyohashi University of Technology |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 岡田 浩 / Hiroshi OKADA |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 豊橋技術科学大学EIIRIS:豊橋技術科学大学 Toyohashi University of Technology, EIIRIS:Toyohashi University of Technology |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 若原 昭浩 / Akihiro WAKAHARA |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 豊橋技術科学大学 Toyohashi University of Technology |
| 発表年月日 | 2012-05-17 |
| 資料番号 | ED2012-19,CPM2012-3,SDM2012-21 |
| 巻番号（vol） | vol.112 |
| 号番号（no） | 34 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |