| 講演名 | 2012-05-17 高温成長によるGaAsN混晶の結晶性向上(Siウェハ上結晶成長・評価・デバイス応用,結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料)) 深見 太志, 浦上 法之, 関口 寛人, 岡田 浩, 若原 昭浩, |
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| 抄録(和) | Si上発光デバイスの活性層材料としてGaAsN混晶は有望である460℃で成長した試料に比べ、600℃で成長したGaAsN混晶のPLスペクトルは半値全幅が狭く、高エネルギー側の裾が小さくなった。また、PLピークエネルギーの温度依存性において、局在状態が少ないことが示唆された600℃付近で成長したGaAsN/GaP SQWでは、PL積分強度の温度依存性において温度消光が少なくなった。これは、成長温度を高くすることにより、Nに起因する点欠陥の抑制が出来たためであると考えられる。以上のことから、高温で成長することによりGaAsN混晶の結晶性の向上が可能であることが分かった。 |
| 抄録(英) | GaAsN alloys are one of the attractive candidates for the active layers of the luminescence devices on Si. Compared with GaAsN grown at 460℃, localization energy in GaAsN grown at 600℃ decrease about 2/3. The low energy tail from GaAsN grown at 600℃ is smaller than the one from the sample grown at 460℃. These results indicate that potential fluctuations are reduced and carrier localization can be suppressed by high temperature growth. Thermal quenching of Photoluminescence integral intensity for the samples grown at 600℃ is decrease compared to those of grown at 460℃. This result suggests that point defects are inhibited by high growth temperature. |
| キーワード(和) | 光電子集積回路 / GaAsN / 分子線エピタキシー / III-V-N混晶 |
| キーワード(英) | OEIC / GaAsN / Molecular beam epitaxy / III-V-N alloy |
| 資料番号 | ED2012-18,CPM2012-2,SDM2012-20 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2012/5/10(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 高温成長によるGaAsN混晶の結晶性向上(Siウェハ上結晶成長・評価・デバイス応用,結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料)) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Improvement in crystalline quality of GaAsN alloy by high temperature growth |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 光電子集積回路 / OEIC |
| キーワード(2)（和/英） | GaAsN / GaAsN |
| キーワード(3)（和/英） | 分子線エピタキシー / Molecular beam epitaxy |
| キーワード(4)（和/英） | III-V-N混晶 / III-V-N alloy |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 深見 太志 / Futoshi FUKAMI |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 豊橋技術科学大学電気・電子情報工学系 Department of Electrical and Electronic Information Engineering, Toyohashi technology of University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 浦上 法之 / Noriyuki URAKAMI |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 豊橋技術科学大学電気・電子情報工学系 Department of Electrical and Electronic Information Engineering, Toyohashi technology of University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 関口 寛人 / Hiroto SEKIGUCHI |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 豊橋技術科学大学電気・電子情報工学系 Department of Electrical and Electronic Information Engineering, Toyohashi technology of University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 岡田 浩 / Hiroshi OKADA |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 豊橋技術科学大学エレクトロニクス先端融合研究所 Electronics-Inspired Interdisciplinary Research Institute (EIIRIS), Toyohashi technology of University |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 若原 昭浩 / Akihiro WAKAHARA |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 豊橋技術科学大学電気・電子情報工学系 Department of Electrical and Electronic Information Engineering, Toyohashi technology of University |
| 発表年月日 | 2012-05-17 |
| 資料番号 | ED2012-18,CPM2012-2,SDM2012-20 |
| 巻番号（vol） | vol.112 |
| 号番号（no） | 34 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |