| 講演名 | 2012-04-28 マイクロ熱プラズマジェット照射によるポーラスシリコン層上Si膜のエピタキシャル成長(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術及び一般) 林 将平, 松原 良平, 藤田 悠二, 池田 弥央, 東 清一郎, |
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| 抄録(和) | ポーラスシリコン(PS)層上に堆積したアモルファスシリコン(a-Si)膜を大気圧マイクロ熱プラズマジェット照射により結晶化した。多孔度及びPS層厚増加に伴う熱拡散の抑制により、PS層上a-Si膜は容易に溶融再結晶化した。多孔度42%、PS層厚20.8μm以上のPS層上a-Si膜は走査速度4000mm/sの高速条件において溶融再結晶化し、結晶化率100%の高結晶性を示した。また、PS層上結晶化Si膜は石英基板上Si膜と比べ低い応力であることが示唆された。電子後方散乱回折(EBSD)パターンからPS層上結晶化Si膜は{100}の優先配向を示したことから、PS層からのエピタキシャル成長誘起が示唆された。 |
| 抄録(英) | Amorphous silicon (a-Si) film on porous silicon (PS) underlayer were melted and rapid solidification was induced by micro-thermal-plasma-jet irradiation. Because the thermal conduction can be controlled by changing structure, a-Si films on PS formed by the porosity of 42 % and the PS layer thickness of 20.8 μm were easily melted by very high speed of 4000 mm/s. Crystallized Si films show a high crystalline volume fraction of ～100% and lower tensile stress compared to that of Si films crystallized on quartz substrates. In addition, crystallized Si films on PS layer show strong orientation to {100} direction, which suggests liquid phase epitaxial growth from PS layer. |
| キーワード(和) | マイクロ熱プラズマジェット / ポーラスシリコン / エピタキシャル成長 |
| キーワード(英) | Micro-Thermal-Plasma-Jet / Porous Silicon / Epitaxial Growth |
| 資料番号 | SDM2012-14,OME2012-14 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | OME |
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| 開催期間 | 2012/4/20(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Organic Material Electronics (OME) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | マイクロ熱プラズマジェット照射によるポーラスシリコン層上Si膜のエピタキシャル成長(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術及び一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Epitaxial Growth of Silicon Films on Porous Silicon Underlayer by Micro-Thermal-Plasma-Jet Irradiation |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | マイクロ熱プラズマジェット / Micro-Thermal-Plasma-Jet |
| キーワード(2)（和/英） | ポーラスシリコン / Porous Silicon |
| キーワード(3)（和/英） | エピタキシャル成長 / Epitaxial Growth |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 林 将平 / Shohei HAYASHI |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 広島大学大学院先端物質科学研究科 Graduate School of Advanced Sciences of Matter, Hiroshima University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 松原 良平 / Ryohei MATSUBARA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 広島大学大学院先端物質科学研究科 Graduate School of Advanced Sciences of Matter, Hiroshima University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 藤田 悠二 / Yuji FUJITA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 広島大学大学院先端物質科学研究科 Graduate School of Advanced Sciences of Matter, Hiroshima University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 池田 弥央 / Mitsuhisa IKEDA |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 広島大学大学院先端物質科学研究科 Graduate School of Advanced Sciences of Matter, Hiroshima University |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 東 清一郎 / Seiichiro HIGASHI |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 広島大学大学院先端物質科学研究科 Graduate School of Advanced Sciences of Matter, Hiroshima University |
| 発表年月日 | 2012-04-28 |
| 資料番号 | SDM2012-14,OME2012-14 |
| 巻番号（vol） | vol.112 |
| 号番号（no） | 19 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |