| 講演名 | 2012-04-28 界面酸化膜挿入型Au誘起層交換成長法による大粒径Ge(111)/絶縁膜の低温成長 : 界面酸化膜厚依存性(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術及び一般) 鈴木 恒晴, 朴 鍾〓, 黒澤 昌志, 宮尾 正信, 佐道 泰造, |
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| 抄録(和) | フレキシブルな高速薄膜トランジスタの実現には,高キャリヤ移動度を有する半導体(Ge)薄膜をプラスチィックなどの絶縁基板上に高品位形成する必要がある.そこで本論文では,絶縁基板上における結晶方位制御された大粒径Ge薄膜の低温成長(≦350℃)を目指し,非晶質Ge/Au/絶縁膜の積層構造を用いたAu誘起層交換成長における界面酸化膜の挿入効果を検討した.その結果,界面酸化膜(膜厚:～3nm)の挿入により,(111)配向した大粒径(20～50μm)Ge結晶を実現した.この現象は,界面酸化膜挿入によりGe/Auの相互拡散が抑制されたため,Au膜中でのランダムなバルク核発生が低減し,絶縁膜表面におけるGe(111)核の発生が支配的になったことに起因すると考えられる. |
| 抄録(英) | A technique for low-temperature(<～350℃) formation of orientation-controlled large-grain Ge films on insulating layers is desirable for realization of flexible high-speed thin film transistors. In line with this, we have investigated Au-induced layer-exchange crystallization using a-Ge/Au/insulator stacked structures where Al_2O_3 layers were inserted at a-Ge/Au interfaces. Consequently, (111)-oriented large-grain (20-50 μm) films are obtained by inserting the interfacial layers (～3 μm). These phenomena are explained based on the retardation of random bulk nucleation in Au films and thus domination of(111)-oriented nucleation on insulators, caused by suppression of Ge/Au interdiffusion. |
| キーワード(和) | 金属誘起層交換成長 / 界面酸化膜 / 方位制御成長 |
| キーワード(英) | Metal-Induced Layer Exchange Crystallization / Interfacial Oxide layer / Orientation Control |
| 資料番号 | SDM2012-16,OME2012-16 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2012/4/20(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 界面酸化膜挿入型Au誘起層交換成長法による大粒径Ge(111)/絶縁膜の低温成長 : 界面酸化膜厚依存性(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術及び一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Orientation-Controlled Large-Grain Ge on Insulator by Au-Induced Layer Exchange Crystallization with Interfacial Oxide Layer |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 金属誘起層交換成長 / Metal-Induced Layer Exchange Crystallization |
| キーワード(2)（和/英） | 界面酸化膜 / Interfacial Oxide layer |
| キーワード(3)（和/英） | 方位制御成長 / Orientation Control |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 鈴木 恒晴 / Tsuneharu SUZUKI |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 九州大学 Department of Electronics Kyushu University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 朴 鍾〓 / Jong-Hyeok PARK |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 九州大学 / |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 黒澤 昌志 / Masashi KUROSAWA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 九州大学 / |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 宮尾 正信 / Masanobu MIYAO |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 九州大学 |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 佐道 泰造 / Taizoh SADOH |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 九州大学 |
| 発表年月日 | 2012-04-28 |
| 資料番号 | SDM2012-16,OME2012-16 |
| 巻番号（vol） | vol.112 |
| 号番号（no） | 18 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 3 |
| 発行日 | |