| 講演名 | 2012-04-27 低温成膜nc-Si膜を用いたbottom gate TFT(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術及び一般) 宿久 明日香, 高橋 英治, 安東 靖典, |
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| 抄録(和) | ICP(Inductively Coupled Plasma)CVD法により、150℃で直接成膜した微結晶Si(nc-Si)膜を用いて、bottom gate TFTを作製した。SiH_4ガスを用いてnc-Si成膜後、NH_3プラズマ処理を施すことで、0.48cm^2/Vsの移動度が得られた。印加電圧20V、印加時間10000secのゲートストレスに対する信頼性評価を実施したところ、シフト量ΔVth:1.94Vを実現した。またFによる欠陥終端を狙い、SiF_4ガスを用いて180℃で成膜したnc-Si膜TFTを作製し、TFT動作することが確認された。 |
| 抄録(英) | Thin film transistors (TFTs) with nanocrystalline silicon (nc-Si) films which were directly deposited on substrate at 150℃ were fabricated by using ICP (Inductively Coupled Plasma) CVD method. The NH_3 plasma treatment after nc-Si deposition increased TFT mobility up to 0.48cm^2/Vs. The threshold voltage shift (ΔVth) after gate bias stress of 10000sec at +20V was 1.94V. Furthermore, nc-Si TFT deposited using SiF_4 gas aimed for terminating film defects by Fluorine atoms showed good transfer characteristics. |
| キーワード(和) | nc-Si / TFT / ICPCVD |
| キーワード(英) | nc-Si / TFT / ICPCVD |
| 資料番号 | SDM2012-10,OME2012-10 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2012/4/20(から1日開催) |
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| テーマ（英） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 低温成膜nc-Si膜を用いたbottom gate TFT(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術及び一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Bottom Gate TFT using Low Temperature Deposited Nanocrystalline-Si |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | nc-Si / nc-Si |
| キーワード(2)（和/英） | TFT / TFT |
| キーワード(3)（和/英） | ICPCVD / ICPCVD |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 宿久 明日香 / Asuka SHUKU |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 日新電機株式会社 NISSIN ELECTRIC CO., LTD. |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 高橋 英治 / Eiji TAKAHASHI |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 日新電機株式会社 NISSIN ELECTRIC CO., LTD. |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 安東 靖典 / Ysunori ANDOH |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 日新電機株式会社 NISSIN ELECTRIC CO., LTD. |
| 発表年月日 | 2012-04-27 |
| 資料番号 | SDM2012-10,OME2012-10 |
| 巻番号（vol） | vol.112 |
| 号番号（no） | 18 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |