| 講演名 | 2012-04-18 基板相互作用によるグラフェンの電子状態制御(TFT(有機,酸化物),一般) 吹留 博一, 川合 祐輔, 末光 眞希, |
|---|---|
| PDFダウンロードページ |  PDFダウンロードページへ |
| 抄録(和) | 我々は、次世代デバイス材料:グラフェンのSi基板へのエピ成長に成功している。このエピグラフェンのデバイス応用に向けては、使途に応じたグラフェンの電子状態の制御が重要である。我々は、Si基板面方位によるグラフェンの積層構造の制御に成功し、さらに、この積層制御による電子状態の制御に成功した。さらに、微細加工を施したSi基板上へのグラフェン・エピ成長に成功した。これらのエピ成長技術により、ナノデバイス応用用途に適したエピグラフェンの作製が可能となる。 |
| 抄録(英) | We have developed the way to preduce epitaxial graphene onto Si substrate. Towards device application of the epitaxial graphene, we have to control the electronic states suitable for the function of the devices. We have succeeded in controlling layer stacking and electronic states of the epitaxial graphene. Furthermore, we can succeed in growing the epitaxial graphene on microfabricated substrates. These techniques enable us to fabricate the epitaxial graphene which match the needs of various nanodevice applications. |
| キーワード(和) | グラフェン / 電子状態 / 基板 |
| キーワード(英) | Graphene / Electronic State / Substrate |
| 資料番号 | ED2012-2 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
|---|---|
| 開催期間 | 2012/4/11(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
|---|---|
| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 基板相互作用によるグラフェンの電子状態制御(TFT(有機,酸化物),一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Control of Electronic States of Graphene by Substrate Interaction : The Format of Technical Report (Subtitle) |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | グラフェン / Graphene |
| キーワード(2)（和/英） | 電子状態 / Electronic State |
| キーワード(3)（和/英） | 基板 / Substrate |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 吹留 博一 / Hirokazu Fukidome |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 東北大学電気通信研究所 Research Instiute of Electrical Communication, Tohoku University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 川合 祐輔 / Yusuke Kawai |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 東北大学大学院工学研究科 Research Instiute of Electrical Communication, Tohoku University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 末光 眞希 / Maki Suemitsu |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 東北大学電気通信研究所 Research Instiute of Electrical Communication, Tohoku University |
| 発表年月日 | 2012-04-18 |
| 資料番号 | ED2012-2 |
| 巻番号（vol） | vol.112 |
| 号番号（no） | 5 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 3 |
| 発行日 | |