| 講演名 | 2012-04-27 バイオナノプロセスを用いたフィラメント制御および抵抗変化メモリにおける効果 : 薄膜中の局所欠陥制御(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術及び一般) 上沼 睦典, 番 貴彦, 鄭 彬, 山下 一郎, 浦岡 行治, |
|---|---|
| PDFダウンロードページ |  PDFダウンロードページへ |
| 抄録(和) | 抵抗変化型メモリ(ReRAM)は、次世代の不揮発性メモリとして期待されている.その動作原理は、抵抗変化膜中に形成されるフィラメントにより起こると考えられており、フィラメントの位置制御や形成電圧の低減が求められている.抵抗変化メモリにおいて、その動作を担うフィラメントを制御することは、メモリ特性改善に有用である。本研究では、バイオナノプロセスを用いてフィラメントの位置制御を行った。フィラメント位置制御のために特異的認識能力を持つタンパク質により包まれた金ナノ粒子を局所電極に利用した.メモリセル内に局所電極を配置することで、フィラメントの位置制御およびフォーミング電圧の低減が可能であることが明らかとなった.これらの結果には、NiO膜中の局所欠陥が関係していることが分かった. |
| 抄録(英) | Controllable positioning of conductive filament in resistive memory is demonstrated using gold nanoparticles (GNPs). A GNP of 15nm diameter is encapsulated by the porter protein and delivered to the designated positions. The restricted nanoscale filament formation by the GNP was observed by conductive atomic force microscopy, and writing and erasing were achieved in a defined area on the nanometer scale. The forming voltage was reduced by the defects in a highly localized region. The cross-sectional TEM image strongly supported the observation that the grain structure contributes to the decrease in forming voltage. |
| キーワード(和) | 抵抗変化メモリ / 金ナノ粒子 / バイオプロセス / 欠陥 |
| キーワード(英) | ReRAM / Gold Nanoparticle / Bio Nano Process / Defect |
| 資料番号 | SDM2012-4,OME2012-4 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
|---|---|
| 開催期間 | 2012/4/20(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
|---|---|
| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | バイオナノプロセスを用いたフィラメント制御および抵抗変化メモリにおける効果 : 薄膜中の局所欠陥制御(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術及び一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Effects of Guided Filament Formation in NiO-ReRAM utilizing Bio Nano Process : Control of defects in thin films |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 抵抗変化メモリ / ReRAM |
| キーワード(2)（和/英） | 金ナノ粒子 / Gold Nanoparticle |
| キーワード(3)（和/英） | バイオプロセス / Bio Nano Process |
| キーワード(4)（和/英） | 欠陥 / Defect |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 上沼 睦典 / Mutsunori UENUMA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科 Nara Institute of Science and Technology, Graduate School of Materials Science |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 番 貴彦 / Takahiko BAN |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科 Nara Institute of Science and Technology, Graduate School of Materials Science |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 鄭 彬 / Bin ZHENG |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科 Nara Institute of Science and Technology, Graduate School of Materials Science |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 山下 一郎 / Ichiro YAMASHITA |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科 Nara Institute of Science and Technology, Graduate School of Materials Science |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 浦岡 行治 / Yukiharu URAOKA |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科 Nara Institute of Science and Technology, Graduate School of Materials Science |
| 発表年月日 | 2012-04-27 |
| 資料番号 | SDM2012-4,OME2012-4 |
| 巻番号（vol） | vol.112 |
| 号番号（no） | 18 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |