| 講演名 | 2012-03-05 Wafer-on-wafer構造における貫通Si電極周辺の局所歪の評価(配線・実装技術と関連材料技術) 中塚 理, 北田 秀樹, 金 永束, 水島 賢子, 中村 友二, 大場 隆之, 財満 鎭明, |
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| 抄録(和) | Wafer-on-wafer技術の応用に向けて,積層した薄化Si層内部における局所歪構造を,顕微ラマン分光法およびX線マイクロ回折法によって評価した.貫通Siビア電極(TSV)周辺におけるサブミクロンスケールの歪揺らぎの存在を観察できた.X線マイクロ回折を用いた逆格子空間マップの測定によって,局所歪構造を面内および面直方向に分解して評価でき,その結果,TSV電極周辺の薄化Si層内部には異方的な歪構造が存在することが明らかになった. |
| 抄録(英) | We have investigated the local strain structure in a thinned Si layer stacked on Si substrate for wafer-on-a-wafer applications by using micro Raman spectroscopy and x-ray microdiffraction. The fluctuation of strains in the thin Si layer around through-silicon via (TSV) interconnects is observed with a sub-micrometer scale. We separately estimated the in-plane and out-of-plane strains in the thin Si layer with x-ray diffraction two-dimensional reciprocal space mapping. We found that the anisotropic strain structure is induced in the thin Si layer around TSV interconnects. |
| キーワード(和) | 貫通Siビア電極 / 歪 / マイクロ回折 / ウェハ貼り合わせ |
| キーワード(英) | Thorough Si via interconnect / Strain / Microdiffiaction / Wafer bonding |
| 資料番号 | SDM2011-184 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2012/2/27(から1日開催) |
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| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | Wafer-on-wafer構造における貫通Si電極周辺の局所歪の評価(配線・実装技術と関連材料技術) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Characterization of Local Strain around Through Silicon Via Interconnect in Wafer-on-wafer Structures |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 貫通Siビア電極 / Thorough Si via interconnect |
| キーワード(2)（和/英） | 歪 / Strain |
| キーワード(3)（和/英） | マイクロ回折 / Microdiffiaction |
| キーワード(4)（和/英） | ウェハ貼り合わせ / Wafer bonding |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 中塚 理 / Osamu NAKATSUKA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 名古屋大学 Nagoya University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 北田 秀樹 / Hideki KITADA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 東京大学 The University of Tokyo |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 金 永束 / Young Suk KIM |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 東京大学 The University of Tokyo |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 水島 賢子 / Yoriko MIZUSHIMA |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 株式会社富士通研究所 Fujitsu Laboratories Ltd. |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 中村 友二 / Tomoji NAKAMURA |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 株式会社富士通研究所 Fujitsu Laboratories Ltd. |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 大場 隆之 / Takayuki OHBA |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 東京大学 The University of Tokyo |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 財満 鎭明 / Shigeaki ZAIMA |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 名古屋大学 Nagoya University |
| 発表年月日 | 2012-03-05 |
| 資料番号 | SDM2011-184 |
| 巻番号（vol） | vol.111 |
| 号番号（no） | 463 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
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