| 講演名 | 2012-03-05 3次元実装TSVへのコンフォーマル無電解バリアメタルの形成(配線・実装技術と関連材料技術) 有馬 良平, 三宅 浩志, 井上 史大, 清水 智弘, 新宮原 正三, |
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| 抄録(和) | 貴金属ナノ粒子を触媒として用いた無電解めっき法による,TSVへのバリアメタルのコンフォーマル堆積について検討を行った.無電解めっき浴中に適量の抑止剤を添加することで,高アスペクト比TSVにおいてバリアメタルのコンフォーマル堆積を実現した.また,貴金属ナノ粒子は,高アスペクト比TSV内部においても高い吸着密度であり,それによりバリアメタルのコンフォーマル堆積が可能となった.無電解Co-W-Bバリア膜の密着強度は,膜厚50nm以下では高い値を示すが、膜厚の増加とともに減少することが分かった.これは膜応力が膜厚と共に増加するためと考えられる |
| 抄録(英) | Conformal deposition of barrier metal layer in a high aspect ratio TSV using electroless plating with precious metal nanoparticles (NPs) as a catalyst was investigated. We succeeded in the formation of conformal electroless barrier metal layer for a high aspect ratio TSV with addition of adequate amount of additives. We obtained a high density adsorption of NPs in the entire TSV with a high aspect ratio. Adhesion strength of Co-W-B barrier metal increased with decreasing film thickness. |
| キーワード(和) | TSV / 無電解めっき / バリアメタル / CoWB / Cu |
| キーワード(英) | TSV / Electroless plating / Barrier metal / CoWB / Cu |
| 資料番号 | SDM2011-182 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2012/2/27(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 3次元実装TSVへのコンフォーマル無電解バリアメタルの形成(配線・実装技術と関連材料技術) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Formation of conformal barrier layer by electroless plating for TSV of 3D-LSI |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | TSV / TSV |
| キーワード(2)（和/英） | 無電解めっき / Electroless plating |
| キーワード(3)（和/英） | バリアメタル / Barrier metal |
| キーワード(4)（和/英） | CoWB / CoWB |
| キーワード(5)（和/英） | Cu / Cu |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 有馬 良平 / Ryohei ARIMA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 関西大学大学院理工学研究科 Graduate School of Science and Engineering, Kansai Universit |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 三宅 浩志 / Hiroshi MIYAKE |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 関西大学大学院理工学研究科 Graduate School of Science and Engineering, Kansai Universit |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 井上 史大 / Fumihiro Inoue |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 関西大学大学院理工学研究科 Graduate School of Science and Engineering, Kansai Universit |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 清水 智弘 / Tomohiro Shimizu |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 関西大学大学院理工学研究科 Graduate School of Science and Engineering, Kansai Universit |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 新宮原 正三 / Shoso Shingubara |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 関西大学大学院理工学研究科 Graduate School of Science and Engineering, Kansai Universit |
| 発表年月日 | 2012-03-05 |
| 資料番号 | SDM2011-182 |
| 巻番号（vol） | vol.111 |
| 号番号（no） | 463 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |