| 講演名 | 2012-03-02 歪緩和バリア層に埋め込んだEr添加したInAs量子ドットをもつ多層膜光共振器による超高速全光スイッチ(光波センシング,光波制御・検出,光計測,ニューロ,一般) 森田 健, 上山 日向, 北田 貴弘, 井須 俊郎, |
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| 抄録(和) | 本研究では、歪緩和InGaAsバリア層に埋め込んだEr添加したInAs量子ドットを共振器層に含むGaAs/AlAs多層膜光共振器を分子線エピタキシー法により作製し、その1.55μm波長帯の超高速光スイッチング特性について報告する。In組成の高い歪緩和InGaAsバリア層に埋め込んだEr添加したInAs量子ドットを共振器層として用い、超高速なキャリア緩和(<数ps)を維持しながら吸収緩和による高い光非線形性を実現した。共振器モードの波長(1.5μm)で時間分解透過率変化測定を行い,超高速光スイッチング特性を調べた。今回作製したEr添加したInAs量子ドット共振器の応答速度は4psと速く、何も添加していないInAs量子ドット共振器の応答速度(12ps)にくらべて大きく改善した。 |
| 抄録(英) | In this work, time-resolved optical measurements of GaAs/AlAs multilayer cavities with the Er-doped InAs quantum dots (QDs) embedded in strain-relaxed InGaAs barriers were investigated for ultrafast all-optical switches. The nonlinear signal due to the absorption saturation in the 20-layer stack of the Er-doped QDs became large by increasing In composition in the strain-relaxed InGaAs barriers while keeping the extremely short decay time. The QD-cavity structures consisting of two GaAs/AlAs distributed Bragg reflector (DBR) multilayers and a half-wavelength cavity layer containing two layers of the Er-doped QDs were grown by molecular beam epitaxy. The transmission change signal was clearly observed in the time-resolved measurements at the cavity mode wavelength of 1.55μm. The response time of the Er-doped QD-cavity was 4ps, which was much shorter than that (12ps) of the undoped QD-cavity. |
| キーワード(和) | 全光スイッチ / 微小光共振器 / III-V族化合物半導体 / Er添加量子ドット |
| キーワード(英) | All optical switch / Optical microcavity / III-V semiconductors / Er-doped Quantum dots |
| 資料番号 | OFT2011-79,OPE2011-205 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | OFT |
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| 開催期間 | 2012/2/24(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Optical Fiber Technology (OFT) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 歪緩和バリア層に埋め込んだEr添加したInAs量子ドットをもつ多層膜光共振器による超高速全光スイッチ(光波センシング,光波制御・検出,光計測,ニューロ,一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Ultrafast All-Optical Switches using Multilayer Cavity with Er-Doped InAs Quantum Dots Embeded in Strain-Relaxed Barriers |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 全光スイッチ / All optical switch |
| キーワード(2)（和/英） | 微小光共振器 / Optical microcavity |
| キーワード(3)（和/英） | III-V族化合物半導体 / III-V semiconductors |
| キーワード(4)（和/英） | Er添加量子ドット / Er-doped Quantum dots |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 森田 健 / Ken MORITA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 徳島大学大学院ソシオテクノサイエンス研究部フロンティア研究センター Center for Frontier Research of Engineering, Institute of Technology and Science, The University of Tokushima |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 上山 日向 / Hyuga UEYAMA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 徳島大学大学院ソシオテクノサイエンス研究部フロンティア研究センター Center for Frontier Research of Engineering, Institute of Technology and Science, The University of Tokushima |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 北田 貴弘 / Takahiro KITADA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 徳島大学大学院ソシオテクノサイエンス研究部フロンティア研究センター Center for Frontier Research of Engineering, Institute of Technology and Science, The University of Tokushima |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 井須 俊郎 / Toshiro ISU |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 徳島大学大学院ソシオテクノサイエンス研究部フロンティア研究センター Center for Frontier Research of Engineering, Institute of Technology and Science, The University of Tokushima |
| 発表年月日 | 2012-03-02 |
| 資料番号 | OFT2011-79,OPE2011-205 |
| 巻番号（vol） | vol.111 |
| 号番号（no） | 448 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
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