| 講演名 | 2012-02-08 光照射局所コンダクタンス変調法を用いたGaAsナノワイヤ3分岐接合デバイスの非線形伝達特性評価と動作機構の検討(機能ナノデバイス及び関連技術) 佐藤 将来, 村松 徹, 葛西 誠也, |
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| 抄録(和) | 半導体ナノワイヤ3分岐接合(TBJ)デバイスは,単純な構造ながら室温において特異な非線形特性を示し,アナログ回路やディジタル回路などへの様々な応用が期待されている.応用のためには動作機構に対する理解を深めることが不可欠である.本研究では,エッチングで形成したGaAsナノワイヤTBJデバイスへの光照射により局所的にコンダクタンスを増加させ構造中のコンダクタンスのドメイン箇所を同定する方法で非線形特性の評価を行い,これに基づき非線形動作の機構について検討する. |
| 抄録(英) | Semiconductor three-branch nanowire junction devices show nonlinear electrical characteristics at room temperature and they are expected to be applied to analog and digital circuit,but it is necessary that understanding the mechanism in order to be applied to circuits. In this study nonlinear characteristics in three-branch nanowire junction device is characterized by using method of increasing conductance by localized light irradiation to the device and the mechanism is discussed. |
| キーワード(和) | ナノワイヤ3分岐接合デバイス / 非線形伝達特性 / GaAs |
| キーワード(英) | Three-branch nanowire junction(TBJ) device / Nonlinear transfer characteristic / GaAs |
| 資料番号 | ED2011-158,SDM2011-175 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2012/1/31(から1日開催) |
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| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 光照射局所コンダクタンス変調法を用いたGaAsナノワイヤ3分岐接合デバイスの非線形伝達特性評価と動作機構の検討(機能ナノデバイス及び関連技術) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Study on nonlinear transfer characteristics in a GaAs three-branch nanowire junction device using a light-induced local conductance modulation method |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | ナノワイヤ3分岐接合デバイス / Three-branch nanowire junction(TBJ) device |
| キーワード(2)（和/英） | 非線形伝達特性 / Nonlinear transfer characteristic |
| キーワード(3)（和/英） | GaAs / GaAs |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 佐藤 将来 / Masaki SATO |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 北海道大学大学院情報科学研究科:北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター Graduate School of Information Science & Technology, Hokkaido University:Research Center for Integrated Quantum Electronics(RCIQE), Hokkaido University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 村松 徹 / Toru MURAMATSU |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 北海道大学大学院情報科学研究科:北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター Graduate School of Information Science & Technology, Hokkaido University:Research Center for Integrated Quantum Electronics(RCIQE), Hokkaido University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 葛西 誠也 / Seiya KASAI |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 北海道大学大学院情報科学研究科:北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター Graduate School of Information Science & Technology, Hokkaido University:Research Center for Integrated Quantum Electronics(RCIQE), Hokkaido University |
| 発表年月日 | 2012-02-08 |
| 資料番号 | ED2011-158,SDM2011-175 |
| 巻番号（vol） | vol.111 |
| 号番号（no） | 426 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | |