| 講演名 | 2012-02-08 SiN絶縁ゲートGaAsエッチングナノワイヤFETにおける低周波雑音特性の評価と解析(機能ナノデバイス及び関連技術) 村松 徹, 葛西 誠也, 谷田部 然治, |
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| 抄録(和) | FETの微細化がすすむと素子自身が発する雑音が増加するといわれており,系統的評価や理解が必要である.本研究では次世代集積回路スイッチングデバイスの1つであるIII-V族化合物半導体絶縁ゲートナノワイヤトランジスタをとりあげ,低周波雑音の素子サイズ依存性の評価及びその解析を行った.本素子ではゲート絶縁膜であるSiN中の電子トラップ充放電による雑音が観測された.ナノワイヤ幅の微細化にともない雑音強度が増加すると同時に,スペクトル形状が1/fから1/f^2に連続的に変化した.電子トラップ分布を仮定したスペクトル計算を行い,特定の時定数を有するトラップの時定数分布広がりによってスペクトルの形状が連続的に変化することを説明する. |
| 抄録(英) | Low-frequency noise in SiN-gate GaAs-based nanowire field-effect transistors (FETs) is characterized and analyzed focusing on its device size dependence. Noise in a nanometer-scale semiconductor is an important issue, since it increases as the feature size is decreased. We observe the increased low-frequency noise in the nanowire current, which is caused by charging and discharging electron traps in the SiN gate insulator. As the nanowire width is decreased, the noise intensity increased and the spectral shape changes from 1/f to 1/f^2. Noise spectrum is analyzed by computing the spectrum for specific trap distribution functions in terms of time constant. We find the relationship between the spectral shape and the distribution function. Change of the observed spectral slope is understood in terms of the broadening of the trap distribution. |
| キーワード(和) | ナノワイヤFET / GaAs / 絶縁ゲート / 低周波雑音 / 時定数 / 分布関数 |
| キーワード(英) | Nanowire FET / GaAs / Insulator gate / Low-frequency noise / Time constant / Distribution function |
| 資料番号 | ED2011-157,SDM2011-174 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2012/1/31(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | SiN絶縁ゲートGaAsエッチングナノワイヤFETにおける低周波雑音特性の評価と解析(機能ナノデバイス及び関連技術) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Characterization and Analysis of Low-Frequency Noise in SiN Insulator-Gate GaAs Etched Nanowire FETs |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | ナノワイヤFET / Nanowire FET |
| キーワード(2)（和/英） | GaAs / GaAs |
| キーワード(3)（和/英） | 絶縁ゲート / Insulator gate |
| キーワード(4)（和/英） | 低周波雑音 / Low-frequency noise |
| キーワード(5)（和/英） | 時定数 / Time constant |
| キーワード(6)（和/英） | 分布関数 / Distribution function |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 村松 徹 / Toru Muramatsu |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 北海道大学大学院情報科学研究科:北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター Graduate School of Information Science and Technology, Hokkaido University:Research Center for Integrated Quantum Electronics, Hokkaido University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 葛西 誠也 / Seiya Kasai |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 北海道大学大学院情報科学研究科:北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター Graduate School of Information Science and Technology, Hokkaido University:Research Center for Integrated Quantum Electronics, Hokkaido University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 谷田部 然治 / Zenji Yatabe |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 北海道大学大学院情報科学研究科:北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター Graduate School of Information Science and Technology, Hokkaido University:Research Center for Integrated Quantum Electronics, Hokkaido University |
| 発表年月日 | 2012-02-08 |
| 資料番号 | ED2011-157,SDM2011-174 |
| 巻番号（vol） | vol.111 |
| 号番号（no） | 426 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | |