| 講演名 | 2012-02-08 CNFETにおけるhigh-kゲート絶縁膜界面近傍の電荷分布とその影響(機能ナノデバイス及び関連技術) 鈴木 耕佑, 大野 雄高, 岸本 茂, 水谷 孝, |
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| 抄録(和) | カーボンナノチューブ電界効果型トランジスタ(CNFET)のゲート絶縁膜界面に生ずる界面電荷について、ケルビンプローブフォース顕微鏡を用いて調べ、Au電極やSiO_2基板との界面付近に高濃度の正電荷が偏在することを見出している。デバイスシミュレーションにより、これらの界面電荷がCNFETの特性に及ぼす影響について調べ、主にAu電極とゲート絶縁膜との界面に存在する電荷がCNFETの伝導型極性を変化させることを明らかにしている。 |
| 抄録(英) | We have investigated the interface charges generated at the interfaces of the gate insulator in carbon nanotube field-effect transistors (CNFETs) by Kelvin probe force microscopy. It has been found that positive charges are concentrated near the interfaces of the gate insulator with Au electrodes and with a SiO_2 substrate. We have also studied the effect of the positive interface charges on the property of CNFETs, using the device simulation. It has been revealed that the charges at the interface of the gate insulator with the Au electrodes is responsible for the change in the polarity of conduction carriers of CNFETs. |
| キーワード(和) | カーボンナノチューブ / ALD / high-k / ゲート絶縁膜 / 界面 |
| キーワード(英) | carbon nanotube / ALD / high-k / gate insulator / interface |
| 資料番号 | ED2011-156,SDM2011-173 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2012/1/31(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | CNFETにおけるhigh-kゲート絶縁膜界面近傍の電荷分布とその影響(機能ナノデバイス及び関連技術) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Charge distribution near interface of high-k gate insulator in CNFETs |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | カーボンナノチューブ / carbon nanotube |
| キーワード(2)（和/英） | ALD / ALD |
| キーワード(3)（和/英） | high-k / high-k |
| キーワード(4)（和/英） | ゲート絶縁膜 / gate insulator |
| キーワード(5)（和/英） | 界面 / interface |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 鈴木 耕佑 / Kosuke SUZUKI |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 名古屋大学工学研究科量子工学専攻 Department of Quantum Engineering, Nagoya University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 大野 雄高 / Yutaka OHNO |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 名古屋大学工学研究科量子工学専攻 Department of Quantum Engineering, Nagoya University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 岸本 茂 / Shigeru KISHIMOTO |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 名古屋大学工学研究科量子工学専攻:名古屋大学VBL Department of Quantum Engineering, Nagoya University:Venture Business Laboratory, Nagoya University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 水谷 孝 / Takashi MIZUTANI |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 名古屋大学工学研究科量子工学専攻 Department of Quantum Engineering, Nagoya University |
| 発表年月日 | 2012-02-08 |
| 資料番号 | ED2011-156,SDM2011-173 |
| 巻番号（vol） | vol.111 |
| 号番号（no） | 426 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
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