| 講演名 | 2012-02-08 外部電圧によりフェルミエネルギー制御した極薄Siのゼーベック係数(機能ナノデバイス及び関連技術) サレ ファイズ, 三輪 一聡, 池田 浩也, |
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| 抄録(和) | ナノ構造化によりゼーベック係数を増加するためには、フェルミエネルギーを不純物バンドの影響無しに制御する必要があることがわかってきた。不純物バンドの影響を除去するために、本報告では、外部電圧を印加することによる極薄SOI層のゼーベック係数の変化を調べた。その結果、正電圧を印加することによってゼーベック係数が増加することがわかった。これは、Pドープ極薄SOI層の特性と定性的に一致しており、SOI層のフェルミエネルギーを外部電圧により制御できることを示唆している。 |
| 抄録(英) | We varied the Seebeck coefficient of an n-type silicon-on-insulator(SOI) sample by applying an external bias in order to control the Fermi energy of the SOI layer without the formation of imputiy band. The Seebeck coefficient became increasingly negative with increasing positive external bias. This result qualitatively agrees with the characteristic of P-doped SOI layers because the positive bias reduces the Fermi energy of the SOI at the SOI/buried-oxide interface and reduces the electron concentration. Consequently, the Fermi energy can be controlled by controlling the external bias, which modifies the Seebeck coefficient of the SOI sample. |
| キーワード(和) | ゼーベック係数 / ナノ構造 / 不純物バンド / フェルミエネルギー |
| キーワード(英) | Seebeck coefficient / nanostructure / impurity-band formation / Fermi energy |
| 資料番号 | ED2011-153,SDM2011-170 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2012/1/31(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 外部電圧によりフェルミエネルギー制御した極薄Siのゼーベック係数(機能ナノデバイス及び関連技術) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Seebeck Coefficient of Ultrathin Si with Fermi Energy Controlled by External Bias |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | ゼーベック係数 / Seebeck coefficient |
| キーワード(2)（和/英） | ナノ構造 / nanostructure |
| キーワード(3)（和/英） | 不純物バンド / impurity-band formation |
| キーワード(4)（和/英） | フェルミエネルギー / Fermi energy |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | サレ ファイズ / Faiz SALLEH |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 静岡大学電子工学研究所:日本学術振興会 Research Institute of Electronics, Shizuoka University:Japan Society for the Promotion of Science |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 三輪 一聡 / Kazutoshi MIWA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 静岡大学電子工学研究所 Research Institute of Electronics, Shizuoka University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 池田 浩也 / Hiroya IKEDA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 静岡大学電子工学研究所 Research Institute of Electronics, Shizuoka University |
| 発表年月日 | 2012-02-08 |
| 資料番号 | ED2011-153,SDM2011-170 |
| 巻番号（vol） | vol.111 |
| 号番号（no） | 426 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | |