| 講演名 | 2012-02-08 MgF_2/Feナノドット/MgF_2薄膜における電気伝導特性(機能ナノデバイス及び関連技術) 石川 琢磨, 佐藤 栄太, 浜田 弘一, 有田 正志, 高橋 庸夫, |
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| 抄録(和) | 表面清浄化に注意して準備したSiO_2/Si基板上に,室温の交互蒸着法によりMgF_2/Feナノドット/MgF_2グラニュラー膜を作成し,基本的電気特性評価を行った.膜の電気伝導はパーコレーション膜厚(～5nm)以下でトンネル伝導であった.Feナノドットサイズは3～5nm程度であると考えられる.約2nmの膜厚の試料に対して,室温で8.6%,4.6Kで15.0%のトンネル磁気抵抗(TMR)効果が得られた.TMR比はバイアス電圧の増加に伴いいったん増加し,その後減少に転じた.最大のTMR比を与える電圧値は低温において低電圧側に移動し,詳細は不明であるものの,単電子伝導の寄与が期待される. |
| 抄録(英) | On carefully prepared SiO_2/Si substrates, MgF_2/Fe-nanodots/MgF_2 granular films were prepared, and fundamental electric properties were measured. The conduction type of the films was tunneling when the Fe thickness was less than ca. 5 nm (the percolation thickness). The size of Fe-nanodot was roughly estimated as 3-5 nm. Tunneling magnetoresistance (TMR) ratios of 8.6% (@RT) and 15.0% (@4.6K) were realized in the sample having thickness of about 2 nm. The TMR ratio was increased by increasing the bias voltage, and it decreased by further increment of voltage. Though the details are obscure, influence by single electron conduction is expected. |
| キーワード(和) | トンネル磁気抵抗効果 / ナノドット / 強磁性体 |
| キーワード(英) | Tunneling magnetoresistance / Nanodot / Ferromagnetics |
| 資料番号 | ED2011-152,SDM2011-169 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2012/1/31(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | MgF_2/Feナノドット/MgF_2薄膜における電気伝導特性(機能ナノデバイス及び関連技術) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Electrical characteristics of MgF_2/Fe/MgF_2 thin films |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | トンネル磁気抵抗効果 / Tunneling magnetoresistance |
| キーワード(2)（和/英） | ナノドット / Nanodot |
| キーワード(3)（和/英） | 強磁性体 / Ferromagnetics |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 石川 琢磨 / Takuma ISHIKAWA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 北海道大学大学院情報科学研究科 Graduate School of Information Science and Technology, Hokkaido University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 佐藤 栄太 / Eita SATO |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 北海道大学工学部 School of Engineering Hokkaido University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 浜田 弘一 / Kouichi HAMADA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 北海道大学大学院情報科学研究科 Graduate School of Information Science and Technology, Hokkaido University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 有田 正志 / Masashi ARITA |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 北海道大学大学院情報科学研究科 Graduate School of Information Science and Technology, Hokkaido University |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 高橋 庸夫 / Yasuo TAKAHASHI |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 北海道大学大学院情報科学研究科 Graduate School of Information Science and Technology, Hokkaido University |
| 発表年月日 | 2012-02-08 |
| 資料番号 | ED2011-152,SDM2011-169 |
| 巻番号（vol） | vol.111 |
| 号番号（no） | 426 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
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