| 講演名 | 2012-02-07 シリコン量子井戸におけるトンネル電流注入発光(機能ナノデバイス及び関連技術) 登坂 仁一郎, 西口 克彦, 影島 博之, 藤原 聡, |
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| 抄録(和) | 薄層SOI-MOSFETに対し電子トンネル分光を行うことでシリコン層の二次元状態形成を確認した。同様の薄層SOI-MOSFETにpコンタクトを設けたデバイス対して、トンネル電子注入と正孔供給を行うことで、シリコン量子井戸からバンド端に近い発光を確認した。電流注入発光により得られた結果から、薄層SOIによる閉じ込めが発光効率向上に寄与することを示す。更にゲート電界効果においては、SOI-MOSFETsチャネル層に不純物を導入することで巨大なシュタルクシフトが観測されることを示し、薄層シリコン発光における不純物の機能について議論する。 |
| 抄録(英) | We demonstrated electron tunneling spectroscopy of thin silicon-on-insulator(SOI) metal-oxide-semiconductor field-effect transistors (MOSFETs). The experimental results of tunneling spectroscopy indicated two-dimensional electron states were formed in thin SOI channel. Electroluminescence of similar SOI-MOSFETs with p-type contacts showed near band edge emission by injecting carriers from a tunneling gate and p-contacts. Better light emission efficiency was observed in thin SOI-MOSFETs due to strong confinement of carries by silicon quantum well. Furthermore, we found large Stark shift observed in EL with changing gate-induced electric field was due to impurities diffused into the SOI channel.Influences of dopants on light emission in thin silicon are discussed. |
| キーワード(和) | SOI(Silicon On Insulator) / シリコン量子井戸 / トンネル分光 / 発光 |
| キーワード(英) | SOI(Silicon On Insulator) / silicon quantum well / tunnel spectroscopy / light emission |
| 資料番号 | ED2011-149,SDM2011-166 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2012/1/31(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | シリコン量子井戸におけるトンネル電流注入発光(機能ナノデバイス及び関連技術) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Light emission from Silicon quantum-well by tunneling current injection |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | SOI(Silicon On Insulator) / SOI(Silicon On Insulator) |
| キーワード(2)（和/英） | シリコン量子井戸 / silicon quantum well |
| キーワード(3)（和/英） | トンネル分光 / tunnel spectroscopy |
| キーワード(4)（和/英） | 発光 / light emission |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 登坂 仁一郎 / Jinichiro NOBORISAKA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | NTT物性科学基礎研究所 NTT Basic Research Laboratories |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 西口 克彦 / Katsuhiko NISHIGUCHI |
| 第 2 著者 所属（和/英） | NTT物性科学基礎研究所 NTT Basic Research Laboratories |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 影島 博之 / Hiroyuki KAGESHIMA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | NTT物性科学基礎研究所 NTT Basic Research Laboratories |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 藤原 聡 / Akira FUJIWARA |
| 第 4 著者 所属（和/英） | NTT物性科学基礎研究所 NTT Basic Research Laboratories |
| 発表年月日 | 2012-02-07 |
| 資料番号 | ED2011-149,SDM2011-166 |
| 巻番号（vol） | vol.111 |
| 号番号（no） | 426 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |