| 講演名 | 2012-02-07 共振構造導入によるグラフェンテラヘルツ増幅器の高利得化(機能ナノデバイス及び関連技術) 高塚 裕也, 高萩 和宏, 佐野 栄一, / 尾辻 泰一, |
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| 抄録(和) | テラヘルツ(THz)領域を活用するためには,小型なTHz光源の開発が必須である.我々はTHz光源の元となるTHz増幅器の開発を目的とし,利得媒質を活用した増幅デバイスを提案した.本稿では実装を考慮し,さらに高効率化が期待できる共振構造を導入したTHz増幅デバイスについて,理論解析結果を報告する. |
| 抄録(英) | THz devices have been developed over the last decade to utilise THz waves for non-destructive sensing and high-speed wireless communications. Ryzhii et al. theoretically demonstrated the feasibility of THz lasing in optically pumped multiple graphene layer (MGL) and proposed THz laser structures. We reported characteristics of THz amplifiers besed on MGL with field-enhancement effect previously. Adding metal plate to our THz amplifier makes its producible and suggested achieving higher gain. We investigated THz amplifiers on metal plate using FDTD electromagnetic simulation. |
| キーワード(和) | 金属メッシュ構造 / 表面プラズモン / SPP / グラフェン / MGL / テラヘルツ / 増幅器 |
| キーワード(英) | metal mesh structures / surface plasmon / SPP / graphene / MGL / terahertz / amplifier |
| 資料番号 | ED2011-148,SDM2011-165 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2012/1/31(から1日開催) |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 共振構造導入によるグラフェンテラヘルツ増幅器の高利得化(機能ナノデバイス及び関連技術) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Gain enhancement in graphene terahertz amplifier with resonant structure |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 金属メッシュ構造 / metal mesh structures |
| キーワード(2)（和/英） | 表面プラズモン / surface plasmon |
| キーワード(3)（和/英） | SPP / SPP |
| キーワード(4)（和/英） | グラフェン / graphene |
| キーワード(5)（和/英） | MGL / MGL |
| キーワード(6)（和/英） | テラヘルツ / terahertz |
| キーワード(7)（和/英） | 増幅器 / amplifier |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 高塚 裕也 / Yuya TAKATSUKA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター Research Center for Integrated Quantum Electronics, Hokkaido University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 高萩 和宏 / Kazuhiro TAKAHAGI |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター Research Center for Integrated Quantum Electronics, Hokkaido University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 佐野 栄一 / Eiichi SANO |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター:JST-CREST Research Center for Integrated Quantum Electronics, Hokkaido University:Japan Science and Technology Agency-Core Research for Evolutional Science and Technology |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | / 尾辻 泰一 / Victor RYZHII |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 会津大学大学院コンピュータ理工学研究科:JST-CREST Computational Nano-Electronics Laboratory, University of Aizu:Japan Science and Technology Agency-Core Research for Evolutional Science and Technology |
| 発表年月日 | 2012-02-07 |
| 資料番号 | ED2011-148,SDM2011-165 |
| 巻番号（vol） | vol.111 |
| 号番号（no） | 426 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
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