| 講演名 | 2012-02-07 InAsナノワイヤMISFETの高周波特性評価(機能ナノデバイス及び関連技術) 渡邉 龍郎, 乙幡 温, 和保 孝夫, / /, |
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| 抄録(和) | InAsナノワイヤMISFETを作製し、高周波Sパラメータ測定を行うことでデバイスの高周波特性を評価した。また、得られたSパラメータを用いてg_m、C_ |
| 抄録(英) | |
| キーワード(和) | |
| キーワード(英) | |
| 資料番号 | ED2011-146,SDM2011-163 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2012/1/31(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | InAsナノワイヤMISFETの高周波特性評価(機能ナノデバイス及び関連技術) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | High-frequency characterization of InAs nanowire MISFETs |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 渡邉 龍郎 / Tatsuro Watanabe |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 上智大学理工学部 Faculty of Science and Technology, Sophia University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 乙幡 温 / Yutaka Otsuhata |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 上智大学理工学部 Faculty of Science and Technology, Sophia University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 和保 孝夫 / Takao Waho |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 上智大学理工学部 Faculty of Science and Technology, Sophia University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | / / / Kai Blekker |
| 第 4 著者 所属（和/英） | / / Solid-State Electronics Department, University of Duisburg-Essen |
| 発表年月日 | 2012-02-07 |
| 資料番号 | ED2011-146,SDM2011-163 |
| 巻番号（vol） | vol.111 |
| 号番号（no） | 426 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | |