| 講演名 | 2012-02-07 パターン依存酸化法を用いたSi単電子トランジスタの高周波特性(機能ナノデバイス及び関連技術) 竹中 浩人, 篠原 迪人, 内田 貴史, 有田 正志, 藤原 聡, 高橋 庸夫, |
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| 抄録(和) | 単電子トランジスタ(SET)は、低消費電力で動作するデバイスとして知られているが、その高速動作性に関しては、十分調べられていない。SETのドレイン電極に交流電圧を印加すると、クーロンダイヤモンドの非対称性から整流作用を示すことが知られている。本研究では、ドレイン電極に高周波電圧を印加した際のこの整流作用を用いて、シリコンSETの高周波特性を評価できることを明らかにしたので報告する。 |
| 抄録(英) | Single electron transistor (SET) is a low power device. However, the high frequency operation properties have not been investigated. It is well known that when alternating current voltage is applied to drain terminal of SET, rectifying of the voltage occurs according as the gate voltage due to the asymmetry of Coulomb diamond. By the use of the effect, we evaluated the high-frequency properties of Si SETs by applying high-frequency alternating-current voltage to the drain terminal. |
| キーワード(和) | 単電子 / クーロンダイヤモンド / 高周波 / 整流作用 |
| キーワード(英) | single-electron / Coulomb-diamond / high-frequency / rectifying-effect |
| 資料番号 | ED2011-145,SDM2011-162 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2012/1/31(から1日開催) |
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| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | パターン依存酸化法を用いたSi単電子トランジスタの高周波特性(機能ナノデバイス及び関連技術) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | High-Frequency Properties of Si Single-Electron Transistors Fabricated by Pattern-Dependent Oxidation |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 単電子 / single-electron |
| キーワード(2)（和/英） | クーロンダイヤモンド / Coulomb-diamond |
| キーワード(3)（和/英） | 高周波 / high-frequency |
| キーワード(4)（和/英） | 整流作用 / rectifying-effect |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 竹中 浩人 / Hiroto TAKENAKA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 北海道大学大学院情報科学研究科 Graduate School of Information Science and Technology, Hokkaido Univ. |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 篠原 迪人 / Michito SHINOHARA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 北海道大学大学院情報科学研究科 Graduate School of Information Science and Technology, Hokkaido Univ. |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 内田 貴史 / Takafumi UCHIDA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 北海道大学大学院情報科学研究科 Graduate School of Information Science and Technology, Hokkaido Univ. |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 有田 正志 / Masashi ARITA |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 北海道大学大学院情報科学研究科 Graduate School of Information Science and Technology, Hokkaido Univ. |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 藤原 聡 / Akira FUJIWARA |
| 第 5 著者 所属（和/英） | NTT物性科学基礎研究所 NTT Basic Research Laboratories, NTT Corporation |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 高橋 庸夫 / Yasuo TAKAHASHI |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 北海道大学大学院情報科学研究科 Graduate School of Information Science and Technology, Hokkaido Univ. |
| 発表年月日 | 2012-02-07 |
| 資料番号 | ED2011-145,SDM2011-162 |
| 巻番号（vol） | vol.111 |
| 号番号（no） | 426 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |