| 講演名 | 2012-02-07 個々のドーパントポテンシャルと電子帯電のKFM観測(機能ナノデバイス及び関連技術) ノヴァック ローランド, アンワル ミフタフル, モラル ダニエル, 水野 武志, ヤブロンスキー リシャード, 田部 道晴, |
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| 抄録(和) | 我々は極薄チャネルをもつナノスケールsi-FETにおける表面ポテンシャル分布と電子注入の効果の観測をケルビンプローブフォース顕微鏡(KFM)を用いて行った。低温では、個々のドナーへの電子注入効果はドナーポテンシャル井戸の消失として観測される。これはひとつのドナーに1個の電子がトラップされることによる。室温では、ドナー電位は非局在電子によって、連続的に遮蔽されていく。この異なる温度での観測結果は、電子輸送特性の違いと結びついており、低温ではドナーを介したトンネル機構、室温ではドリフト拡散機構に対応している。 |
| 抄録(英) | We utilize Kelvin probe force microscope (KFM) to measure surface potential of thin channel of nanoscale field effect transistor and characterize the effect of electron injection. At low temperature, we observe that potentials of individual dopants disappear in digital manner, which corresponds to single-electron trapping by a donor. At room temperature, on the other hand, we conclude from the KFM observations that dopants potentials are continuously screened by non-localized electrons. Both types of screening mechanisms are correlated with transport mechanisms, i.e. electron tunneling through donors at low temperature and drift-diffusion current at room temperature. |
| キーワード(和) | ケルビンプローブフォース顕微鏡 / SOIFET / 単電子帯電 |
| キーワード(英) | Kelvin Probe Force Microscope / silicon-on-insulator field-effect transistor / single-electron charging |
| 資料番号 | ED2011-144,SDM2011-161 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2012/1/31(から1日開催) |
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| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | ENG |
| タイトル（和） | 個々のドーパントポテンシャルと電子帯電のKFM観測(機能ナノデバイス及び関連技術) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | KFM observation of individual dopant potentials and electron charging |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | ケルビンプローブフォース顕微鏡 / Kelvin Probe Force Microscope |
| キーワード(2)（和/英） | SOIFET / silicon-on-insulator field-effect transistor |
| キーワード(3)（和/英） | 単電子帯電 / single-electron charging |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | ノヴァック ローランド / Roland NOWAK |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 静岡大学電子工学研究所 Research Institute of Electronics, Shizuoka University:Institute of Metrology and Biomedical Engineering, Warsaw Univ. of Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | アンワル ミフタフル / Miftahul ANWAR |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 静岡大学電子工学研究所 Research Institute of Electronics, Shizuoka University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | モラル ダニエル / Daniel MORARU |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 静岡大学電子工学研究所 Research Institute of Electronics, Shizuoka University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 水野 武志 / Takeshi MIZUNO |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 静岡大学電子工学研究所 Research Institute of Electronics, Shizuoka University |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | ヤブロンスキー リシャード / Ryszard JABLONSKI |
| 第 5 著者 所属（和/英） | / 静岡大学電子工学研究所 Institute of Metrology and Biomedical Engineering, Warsaw Univ. of Technology |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 田部 道晴 / Michiharu TABE |
| 第 6 著者 所属（和/英） | Research Institute of Electronics, Shizuoka University |
| 発表年月日 | 2012-02-07 |
| 資料番号 | ED2011-144,SDM2011-161 |
| 巻番号（vol） | vol.111 |
| 号番号（no） | 426 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
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