| 講演名 | 2012-02-07 第一原理計算によるシリコンナノトランジスタ中の単一リン不純物の電子状態解析(機能ナノデバイス及び関連技術) 葛屋 陽平, モラル ダニエル, 水野 武志, 田部 道晴, 水田 博, |
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| 抄録(和) | MOSFETの微細化に伴い、ランダムドーパントによる特性の揺らぎが大きな問題となってきている。これは、ナノメータ領域のチャネル寸法ではドーパント原子の個別性がデバイス特性に大きな影響を与えるためである。我々は、最近、逆の視点からドーパント原子を量子ドットして積極的に用いたデバイスの研究を行っている。このような状況下でナノ構造内のドーパントの電子状態を調べることが極めて重要となる。今回、第一原理計算によってSiナノチャネル中にあるPドーパントのドナーレベル,イオン化エネルギー,電子状態の空間分布の3つについて調べたので報告する。 |
| 抄録(英) | Dopant-induced fluctuation of MOSFET characteristics along with device miniaturization has been recognized as a serious problem for further development of Si technology. We study this issue from a different viewpoint and try to develop novel devices which utilize individual dopant atoms as quantum dots. In this regard, it is important to investigate electronic states of dopant in Si nano structures. We performed first-principle simulation of electronic states for phosphorus donors in a Si nano-channel. In this paper, we report on phosphorus donor levels, ionization energy and spatial distribution of electronic states in Si nano channels. |
| キーワード(和) | 第一原理計算 / イオン化エネルギー / 電子状態の空間分布 / ナノ / MOSFET |
| キーワード(英) | Ab initio / ionization energy / spatial distribution of electronic / nano / MOSFET |
| 資料番号 | ED2011-143,SDM2011-160 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2012/1/31(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 第一原理計算によるシリコンナノトランジスタ中の単一リン不純物の電子状態解析(機能ナノデバイス及び関連技術) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Ab initio Analysis of Electronic States for Single Phosphorous Dopants in Silicon Nanoscale Transistors |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 第一原理計算 / Ab initio |
| キーワード(2)（和/英） | イオン化エネルギー / ionization energy |
| キーワード(3)（和/英） | 電子状態の空間分布 / spatial distribution of electronic |
| キーワード(4)（和/英） | ナノ / nano |
| キーワード(5)（和/英） | MOSFET / MOSFET |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 葛屋 陽平 / Yohei KUZUYA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 静岡大学電子工学研究所 Shizuoka University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | モラル ダニエル / Daniel MORARUI |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 静岡大学電子工学研究所 Shizuoka University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 水野 武志 / Takeshi MIZUNO |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 静岡大学電子工学研究所 Shizuoka University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 田部 道晴 / Michiharu TABE |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 静岡大学電子工学研究所 Shizuoka University |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 水田 博 / Hiroshi MIZUTA |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 北陸先端科学技術大学院大学:サザンプトン大学 Japan Advanced Instituted of Science and Technology:University of Southampton University |
| 発表年月日 | 2012-02-07 |
| 資料番号 | ED2011-143,SDM2011-160 |
| 巻番号（vol） | vol.111 |
| 号番号（no） | 426 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | |