| 講演名 | 2012-02-07 Deterministicドープシリコンデバイスと量子輸送現象(機能ナノデバイス及び関連技術) 品田 賢宏, 堀 匡寛, / 小野 行徳, 熊谷 国憲, 谷井 孝至 /, |
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| 抄録(和) | 単一イオン注入法によって、ドーパントが"deterministic(決定論的)"に注入されたシリコンデバイスを試作し、量子輸送特性を調査した。リンドナーを2個、6個、10個をチャネルに沿って1次元に配列させたところ、個数の増加に伴い2つの特徴的な輸送特性を観測した。1つは1個のドナーが有する2つの準位D^0とD^-を介する単一電子トンネリングに起因する特性、もう1つはドナー間カップリングによるHubbardバンドの形成に起因する特性である。ドーパント添加型デバイスの極限形として、1個のドーパントが制御されたデバイス開発に"deterministic"単一イオン注入法は効果的手段となることを実証した。 |
| 抄録(英) | Si transistors with deterministically implanted donors were fabricated by single-ion implantation method and their quantum transport was investigated. By placing donors in one dimensional array, we observed the transport characteristics categorized into two regimes: single-electron tunneling through isolated D^0 and D^- states; Hubbard band formation due to the inter-donor coupling. Our deterministic doping method is more effective and reliable for single-dopant transistor development and paves the way towards single atom electronics for extended CMOS applications. |
| キーワード(和) | Deterministicドーピング / 単一イオン注入 / 規則ドーパント配列 |
| キーワード(英) | Deterministic doping / Single-ion implantation / Ordered dopant array |
| 資料番号 | ED2011-142,SDM2011-159 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2012/1/31(から1日開催) |
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| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | Deterministicドープシリコンデバイスと量子輸送現象(機能ナノデバイス及び関連技術) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Deterministic-doped Silicon Devices and Their Quantum Transport |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | Deterministicドーピング / Deterministic doping |
| キーワード(2)（和/英） | 単一イオン注入 / Single-ion implantation |
| キーワード(3)（和/英） | 規則ドーパント配列 / Ordered dopant array |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 品田 賢宏 / Takahiro SHINADA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 早稲田大学高等研究所 Waseda Institute for Advanced Study, Waseda University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 堀 匡寛 / Masahiro HORI |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 早稲田大学理工学研究科 Graduate School of Science and Engineering, Waseda University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | / 小野 行徳 / Filipo GUAGLIARDO |
| 第 3 著者 所属（和/英） | ミラノ工科大学 Politecnico di Milano |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 熊谷 国憲 / Yukinori ONO |
| 第 4 著者 所属（和/英） | NTT物性科学基礎研究所 NTT Basic Research Laboratories |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 谷井 孝至 / / Kuninori KUMAGAI |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 早稲田大学理工学研究科 Graduate School of Science and Engineering, Waseda University |
| 発表年月日 | 2012-02-07 |
| 資料番号 | ED2011-142,SDM2011-159 |
| 巻番号（vol） | vol.111 |
| 号番号（no） | 426 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | |