| 講演名 | 2012-01-12 X帯200W AlGaN/GaN HEMTの開発(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般) 西原 信, 山本 高史, 水野 慎也, 佐野 征吾, 長谷川 裕一, |
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| 抄録(和) | X帯高出力アプリケーション用に200W GaN HEMTデバイスを開発した。そのデバイスはゲート長0.4um、ゲート幅16mmのチップを4合成し、入出力共2段でインピーダンス変換し50ohm整合したデバイスである。我々の開発したGaN HEMTデバイスはf=9.3GHz、Vds=32V、パルス動作で線形利得12dB、最大飽和出力電力204W、電力負荷効率32%を達成したので報告する。 |
| 抄録(英) | A 200 Watts GaN high electron mobility transistor (HEMT) has been developed for X-band applications. The device consists of four dies of 0.35um-gate GaN HEMT of 16mm gate periphery together with input and output 2-stage impedance transformers assembled into a low thermal resistance package. The developed GaN HEMT provides 204W output power and 12dB small signal gain at 9.3 GHz with power added efficiency of 32% under pulse condition at a duty of 10% with a pulse width of 100usec. |
| キーワード(和) | AlGaN / GaN / HEMT / X帯 / 高出力 |
| キーワード(英) | AlGaN / GaN / HEMT / X-band / Hight Power |
| 資料番号 | ED2011-141,MW2011-164 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | MW |
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| 開催期間 | 2012/1/4(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Microwaves (MW) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | X帯200W AlGaN/GaN HEMTの開発(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | High Power X-band 200W AlGaN/GaN HEMT |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | AlGaN / AlGaN |
| キーワード(2)（和/英） | GaN / GaN |
| キーワード(3)（和/英） | HEMT / HEMT |
| キーワード(4)（和/英） | X帯 / X-band |
| キーワード(5)（和/英） | 高出力 / Hight Power |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 西原 信 / M. Nishihara |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 住友電工デバイス・イノベーション株式会社 Sumitomo Electric Device Innovations, Inc. Yamanashi Plant |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 山本 高史 / T. Yamamoto |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 住友電工デバイス・イノベーション株式会社 Sumitomo Electric Device Innovations, Inc. Yamanashi Plant |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 水野 慎也 / S. Mizuno |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 住友電工株式会社 Transmission Devices R&D Laboratories, Sumitomo Electric Industries, LTD |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 佐野 征吾 / S. Sano |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 住友電工株式会社 Transmission Devices R&D Laboratories, Sumitomo Electric Industries, LTD |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 長谷川 裕一 / Y. Hasegawa |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 住友電工デバイス・イノベーション株式会社 Sumitomo Electric Device Innovations, Inc. Yamanashi Plant |
| 発表年月日 | 2012-01-12 |
| 資料番号 | ED2011-141,MW2011-164 |
| 巻番号（vol） | vol.111 |
| 号番号（no） | 374 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 3 |
| 発行日 | |