| 講演名 | 2012-01-12 微細AlGaN/GaN HEMTの耐圧特性に与えるバッファ層内不純物とフィールドプレートの影響の解析(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般) 小野寺 啓, 中島 敦, 堀尾 和重, |
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| 抄録(和) | ゲート長やゲート・ドレイン間距離が比較的短いフィールドプレート構造AlGaN/GaN HEMTの2次元数値解析を行い,耐圧特性について検討した.その結果,バッファ層内のアクセプタ濃度が高い場合,耐圧はキャリアの衝突イオン化により決まり,フィールドプレート長増加と共に耐圧は逆に低下することが示された.これはフィールドプレート端とドレイン間距離が短くなり,そこの電界が非常に高くなるためである.一方,バッファ層内アクセプタ濃度が低い場合,バッファ層リーク電流が非常に大きくなってこれが耐圧を決め,耐圧は非常に低くなることが示された.この場合,フィールドプレート長増加と共に耐圧は増大した. |
| 抄録(英) | In this work, we perform two-dimensional analysis of breakdown characteristics in field-plate AlGaN/GaN HEMTs with a short gate length and a short gate-to-drain distance. It is shown that when an acceptor density in a buffer layer is high, the breakdown voltage is determined by impact ionization of carriers, and it can decrease with increasing the field-plate length. On the other hand, when the acceptor density in the buffer layer is low, the buffer leakage current becomes very large and this can determine the breakdown voltage, which becomes very low. In this case, the breakdown voltage increases with increasing the field-plate length. |
| キーワード(和) | GaN / HEMT / フィールドプレート / 耐圧 / バッファトラップ / 2次元解析 |
| キーワード(英) | GaN / HEMT / field plate / breakdown voltage / buffer trap / two-dimensional analysis |
| 資料番号 | ED2011-133,MW2011-156 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | MW |
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| 開催期間 | 2012/1/4(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Microwaves (MW) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 微細AlGaN/GaN HEMTの耐圧特性に与えるバッファ層内不純物とフィールドプレートの影響の解析(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Analysis of Buffer-Impurity and Field-Plate Effects on Breakdown Performance in Small-Sized AlGaN/GaN HEMTs |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | GaN / GaN |
| キーワード(2)（和/英） | HEMT / HEMT |
| キーワード(3)（和/英） | フィールドプレート / field plate |
| キーワード(4)（和/英） | 耐圧 / breakdown voltage |
| キーワード(5)（和/英） | バッファトラップ / buffer trap |
| キーワード(6)（和/英） | 2次元解析 / two-dimensional analysis |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 小野寺 啓 / Hiraku ONODERA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 芝浦工業大学システム工学部 Faculty of Systems Engineering, Shibaura Institute of Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 中島 敦 / Atsushi NAKAJIMA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 芝浦工業大学システム工学部 Faculty of Systems Engineering, Shibaura Institute of Technology |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 堀尾 和重 / Kazushige HORIO |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 芝浦工業大学システム工学部 Faculty of Systems Engineering, Shibaura Institute of Technology |
| 発表年月日 | 2012-01-12 |
| 資料番号 | ED2011-133,MW2011-156 |
| 巻番号（vol） | vol.111 |
| 号番号（no） | 374 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
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