講演名 2012-01-26
中赤外垂直遷移型DFB量子カスケードレーザ(QCL)の試作(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
橋本 順一, 辻 幸洋, 稲田 博史, 三浦 貴光, 村田 誠, 吉永 弘幸, 八木 英樹, 加藤 隆志, 村田 道夫, 勝山 造,
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抄録(和) 我々は、中赤外量子カスケードレーザ(QCL)用の活性層として、LOフォノン散乱の増大を抑制しつつ、発光遷移確率の選択的な増大による利得増加の効果が期待できる、垂直遷移型活性層構造を考案した。本活性層を用いたFP-QCLを試作し、従来の対角遷移型FP-QCLと比較した結果、室温で約30%の閾値電流の低減が得られ、本活性層導入による特性改善を確認した。さらに本活性層を有する複素屈折率結合型DFB-QCLを試作し、室温までの単一モードでのパルス発振に成功した。共振器長2mmのアンコート素子において、室温で3.8kA/cm^2の閾値電流密度が得られ、また発振波長の温度依存性は約0.4nm/Kであった。
抄録(英) We designed a new vertical-transition active layer structure for a Mid-IR quantum cascade laser (QCL). In this structure, effective optical gain increase can be obtained by enhancing radiative transition selectively with LO phonon scattering increase suppressed. We fabricated vertical-transition FP-QCL having this active layer, and found that 30% decrease of threshold current was achieved at room temperature compared with the conventional diagonal-transition FP-QCL. We also developed a complex-coupled type DFB-QCL using the same active layer, and succeeded in obtaining a single-mode pulse oscillation up to room temperature. The threshold current density at room temperature was about 3.8 kA/cm^2, and the lasing wavelength dependence on temperature was about 0.4 nm/K.
キーワード(和) 量子カスケードレーザ / QCL / 垂直遷移 / 対角遷移 / DFB / 中赤外
キーワード(英) quantum cascade laser / QCL / vertical-transition / diagonal-transition / DFB / Mid-IR
資料番号 PN2011-50,OPE2011-166,LQE2011-152,EST2011-100,MWP2011-68
発行日

研究会情報
研究会 EST
開催期間 2012/1/19(から1日開催)
開催地(和)
開催地(英)
テーマ(和)
テーマ(英)
委員長氏名(和)
委員長氏名(英)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和)
幹事氏名(英)
幹事補佐氏名(和)
幹事補佐氏名(英)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Electronic Simulation Technology (EST)
本文の言語 JPN
タイトル(和) 中赤外垂直遷移型DFB量子カスケードレーザ(QCL)の試作(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
サブタイトル(和)
タイトル(英) Mid-IR vertical transition DFB quantum cascade laser
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) 量子カスケードレーザ / quantum cascade laser
キーワード(2)(和/英) QCL / QCL
キーワード(3)(和/英) 垂直遷移 / vertical-transition
キーワード(4)(和/英) 対角遷移 / diagonal-transition
キーワード(5)(和/英) DFB / DFB
キーワード(6)(和/英) 中赤外 / Mid-IR
第 1 著者 氏名(和/英) 橋本 順一 / Jun-ichi Hashimoto
第 1 著者 所属(和/英) 住友電工(株)伝送デバイス研究所
Transmission Devices R&D Laboratories, Sumitomo Electric Industries, LTD.
第 2 著者 氏名(和/英) 辻 幸洋 / Yukihiro Tsuji
第 2 著者 所属(和/英) 住友電工(株)伝送デバイス研究所
Transmission Devices R&D Laboratories, Sumitomo Electric Industries, LTD.
第 3 著者 氏名(和/英) 稲田 博史 / Hiroshi Inada
第 3 著者 所属(和/英) 住友電工(株)伝送デバイス研究所
Transmission Devices R&D Laboratories, Sumitomo Electric Industries, LTD.
第 4 著者 氏名(和/英) 三浦 貴光 / Takamitsu Miura
第 4 著者 所属(和/英) 住友電工(株)伝送デバイス研究所
Transmission Devices R&D Laboratories, Sumitomo Electric Industries, LTD.
第 5 著者 氏名(和/英) 村田 誠 / Makoto Murata
第 5 著者 所属(和/英) 住友電工(株)伝送デバイス研究所
Transmission Devices R&D Laboratories, Sumitomo Electric Industries, LTD.
第 6 著者 氏名(和/英) 吉永 弘幸 / Hiroyuki Yoshinaga
第 6 著者 所属(和/英) 住友電工(株)伝送デバイス研究所
Transmission Devices R&D Laboratories, Sumitomo Electric Industries, LTD.
第 7 著者 氏名(和/英) 八木 英樹 / Hideki Yagi
第 7 著者 所属(和/英) 住友電工(株)伝送デバイス研究所
Transmission Devices R&D Laboratories, Sumitomo Electric Industries, LTD.
第 8 著者 氏名(和/英) 加藤 隆志 / Takashi Kato
第 8 著者 所属(和/英) 住友電工(株)伝送デバイス研究所
Transmission Devices R&D Laboratories, Sumitomo Electric Industries, LTD.
第 9 著者 氏名(和/英) 村田 道夫 / Michio Murata
第 9 著者 所属(和/英) 住友電工(株)伝送デバイス研究所
Transmission Devices R&D Laboratories, Sumitomo Electric Industries, LTD.
第 10 著者 氏名(和/英) 勝山 造 / Tsukuru Katsuyama
第 10 著者 所属(和/英) 住友電工(株)伝送デバイス研究所
Transmission Devices R&D Laboratories, Sumitomo Electric Industries, LTD.
発表年月日 2012-01-26
資料番号 PN2011-50,OPE2011-166,LQE2011-152,EST2011-100,MWP2011-68
巻番号(vol) vol.111
号番号(no) 415
ページ範囲 pp.-
ページ数 5
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