講演名 2012-01-26
1.5μm帯CW励起による低温成長GaAsを用いたテラヘルツ波のホモダイン計測(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
北原 元貴, 久武 信太郎, 味戸 克裕, 久々津 直哉, ソン ホジン, 永妻 忠夫,
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抄録(和) CWテラヘルツ波を用いた周波数領域分光法は、高いSN比と周波数分解能が得られるため、近年注目を集めている。これまでは、850nm励起の低温成長GaAsあるいは、1.5μm励起のInGaAsを光伝導ミキサとして用いたシステムが主流であった。1.5μm帯のテレコム部品が利用できればシステムをコンパクトかつ安価に構築できるが、InGaAsは低温成長GaAsと比べて抵抗率が4桁程度低く、検出・器としてのSN比に問題がある。本稿では、1.5μm励起の低温成長GaAs光伝導ミキサを検出器として用いたテラヘルツ波のホモダイン検出システムについて報告する。2台の1.5μm帯波長可変レーザを用いて単一走行キャリアフォトダイオードから発生されたテラヘルツ波(90-150GHz)は、30dB程度のSN比で検出された。
抄録(英) Recently, frequency-domain techniques based on a continuous terahertz wave technology have extensively studied because it provides a higher signal-to-noise ratio and resolution in spectroscopic applications. Previous frequency-domain spectroscopic systems employ an InGaAs exited by 1.5μm or a low-temperature-grown (LTG) GaAs exited by 850nm as a photoconductive mixer. Although 1.5μm telecom-wavelength technology is essential in universal instrumentation of the systems, the resistivity of the InGaAs is about 1kΩ cm, which leads relatively higher dark noise compared to LTG-GaAs. In this paper, we report terahertz wave homodyne detection system using a uni-traveling-carrier photodiode and the LTG-GaAs at 1.5μm. A dual-frequency optical source is used for both the generation and detection. Signal-to-noise ratio of about 30dB was achieved from 90 GHz to 150 GHz with the system.
キーワード(和) テラヘルツ波 / 周波数領域 / テラヘルツ分光 / ホモダイン検出 / LTG-GaAs / 1.5μm
キーワード(英) Terahertz waves / frequency-domain / terahertz spectroscopy / homodyne-detection / LTG-GaAs / 1.5μm
資料番号 PN2011-53,OPE2011-169,LQE2011-155,EST2011-103,MWP2011-71
発行日

研究会情報
研究会 MWP
開催期間 2012/1/19(から1日開催)
開催地(和)
開催地(英)
テーマ(和)
テーマ(英)
委員長氏名(和)
委員長氏名(英)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和)
幹事氏名(英)
幹事補佐氏名(和)
幹事補佐氏名(英)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Microwave and Millimeter-wave Photonics (MWP)
本文の言語 JPN
タイトル(和) 1.5μm帯CW励起による低温成長GaAsを用いたテラヘルツ波のホモダイン計測(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
サブタイトル(和)
タイトル(英) Homodyne Deteciton of Terahertz waves Using Low-Temperature-Grown GaAs at 1.5μm
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) テラヘルツ波 / Terahertz waves
キーワード(2)(和/英) 周波数領域 / frequency-domain
キーワード(3)(和/英) テラヘルツ分光 / terahertz spectroscopy
キーワード(4)(和/英) ホモダイン検出 / homodyne-detection
キーワード(5)(和/英) LTG-GaAs / LTG-GaAs
キーワード(6)(和/英) 1.5μm / 1.5μm
第 1 著者 氏名(和/英) 北原 元貴 / Genki KITAHARA
第 1 著者 所属(和/英) 大阪大学大学院基礎工学研究科
Graduate School of Engineering Science, Osaka University
第 2 著者 氏名(和/英) 久武 信太郎 / Shintaro HISATAKE
第 2 著者 所属(和/英) 大阪大学大学院基礎工学研究科
Graduate School of Engineering Science, Osaka University
第 3 著者 氏名(和/英) 味戸 克裕 / Katsuhiro AJITO
第 3 著者 所属(和/英) 日本電信電話株式会社NTTマイクロインテグレーション研究所
NTT Microsystem Integration Laboratories, NTT Corporation
第 4 著者 氏名(和/英) 久々津 直哉 / Naoya KUKUTSU
第 4 著者 所属(和/英) 日本電信電話株式会社NTTマイクロインテグレーション研究所
NTT Microsystem Integration Laboratories, NTT Corporation
第 5 著者 氏名(和/英) ソン ホジン / Ho-Jin SONG
第 5 著者 所属(和/英) 日本電信電話株式会社NTTマイクロインテグレーション研究所
NTT Microsystem Integration Laboratories, NTT Corporation
第 6 著者 氏名(和/英) 永妻 忠夫 / Tadao NAGATSUMA
第 6 著者 所属(和/英) 大阪大学大学院基礎工学研究科
Graduate School of Engineering Science, Osaka University
発表年月日 2012-01-26
資料番号 PN2011-53,OPE2011-169,LQE2011-155,EST2011-103,MWP2011-71
巻番号(vol) vol.111
号番号(no) 416
ページ範囲 pp.-
ページ数 5
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