| 講演名 | 2012-01-26 RuドープInP埋込構造AlGaInAs 25.8Gbps直接変調DFBレーザ(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般) 外間 洋平, 境野 剛, 瀧口 透, 柳楽 崇, 山口 晴央, 鈴木 正人, 石村 栄太郎, 杉立 厚志, 紫村 輝之, |
|---|---|
| PDFダウンロードページ |  PDFダウンロードページへ |
| 抄録(和) | 1.3μm帯AlGaInAs系埋込型DFB-LDにRuドープInP電流ブロック層を採用した。その結果十分な光出力と25,8Gbps直接変調での大きなマスクマージンを、従来のFeドープInP埋込型DFB-LDよりも10℃高い60℃で実現し、100Gb Ethernet規格の一つである100GBASE-LR4規格の高速動作を確認した。 |
| 抄録(英) | We developed 1.3μm AlGaInAs DFB-LD with Ru-doped InP buried Hetero-structure. In this work, we got enough power and large mask-margin of 100GBASE-LR4 which is one of 100Gb Ethernet standard in 60℃ which is 10℃ higher than by DFB-LD with Fe-doped InP buried Hetero-structure. |
| キーワード(和) | |
| キーワード(英) | |
| 資料番号 | PN2011-47,OPE2011-163,LQE2011-149,EST2011-97,MWP2011-65 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | PN |
|---|---|
| 開催期間 | 2012/1/19(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Photonic Network (PN) |
|---|---|
| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | RuドープInP埋込構造AlGaInAs 25.8Gbps直接変調DFBレーザ(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | AlGaInAs DFB-LD with Ru-doped InP buried Hetero-structure for 25.8Gbps direct modulation |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 外間 洋平 / Y. Hokama |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所 High Frequency & Optical Device Works Mitsubishi Electric Corporation |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 境野 剛 / G. Sakaino |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所 High Frequency & Optical Device Works Mitsubishi Electric Corporation |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 瀧口 透 / T. Takiguchi |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所 High Frequency & Optical Device Works Mitsubishi Electric Corporation |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 柳楽 崇 / T. Nagira |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所 High Frequency & Optical Device Works Mitsubishi Electric Corporation |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 山口 晴央 / H. Yamaguchi |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所 High Frequency & Optical Device Works Mitsubishi Electric Corporation |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 鈴木 正人 / M. Suzuki |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所 High Frequency & Optical Device Works Mitsubishi Electric Corporation |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 石村 栄太郎 / E. Ishimura |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所 High Frequency & Optical Device Works Mitsubishi Electric Corporation |
| 第 8 著者 氏名（和/英） | 杉立 厚志 / A. Sugitatsu |
| 第 8 著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所 High Frequency & Optical Device Works Mitsubishi Electric Corporation |
| 第 9 著者 氏名（和/英） | 紫村 輝之 / T. Shimura |
| 第 9 著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所 High Frequency & Optical Device Works Mitsubishi Electric Corporation |
| 発表年月日 | 2012-01-26 |
| 資料番号 | PN2011-47,OPE2011-163,LQE2011-149,EST2011-97,MWP2011-65 |
| 巻番号（vol） | vol.111 |
| 号番号（no） | 412 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |