講演名 2012-01-26
表面光伝搬のための半導体ハーフクラッド構造の開発(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
村上 大介, 安田 真爾, 吉岡 佑毅, 山本 直克, 赤羽 浩一, 川西 哲也, 高井 裕司,
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抄録(和) 光情報通信やセンシングにおいて,半導体レーザ出力の波長や光位相などの光波の状態制御は非常に重要である.我々は半導体表面の優れた微細加工特性に着目し,表面加工による光波状態の制御を目指している.これを実現するために、光波分布をデバイス表面近傍に局在させ、表面近傍を光伝搬させる必要がある。通常の半導体レーザでは活性層の上部に非常に厚いクラッド層を有しており,これにより光がデバイス表面から奥深くを伝搬されることになる。我々はハーフクラッド構造と称して,上部クラッド層を極端に薄膜化することで光の表面伝搬を可能とする新構造を提案している.今回,このハーフクラッド構造でのレーザ発振に成功したので,その構造作製と特性評価について報告する.
抄録(英) A control of the light-wave properties is critical issue in developing attractive photonic devices. We have focused on good micro/nano-fabrication techniques on the semiconductor surface to control the light-wave properties of the light source. In conventional photonic devices such as semiconductor waveguide light sources, complicated techniques were required to fabricate the high-aspect-ratio artificial periodic structures that help controlling the light-wave properties. This is because the conventional photonic devices are constructed with thick cladding layers for an optical confinement. In this paper, we propose and fabricate a half-cladding semiconductor light source as an attractive and novel photonic device structure. Here, we successfully demonstrated in a CW lasing operation of the half-cladding semiconductor laser structure.
キーワード(和) 半導体レーザ / 近赤外光源 / 光波制御 / 半導体表面微細構造 / 光情報通信 / センシング
キーワード(英) Semiconductor laser / Near-infrared light source / Control of light wave properties / Micro-structured semiconductor surface / Optical communication / Sensing
資料番号 PN2011-46,OPE2011-162,LQE2011-148,EST2011-96,MWP2011-64
発行日

研究会情報
研究会 PN
開催期間 2012/1/19(から1日開催)
開催地(和)
開催地(英)
テーマ(和)
テーマ(英)
委員長氏名(和)
委員長氏名(英)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和)
幹事氏名(英)
幹事補佐氏名(和)
幹事補佐氏名(英)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Photonic Network (PN)
本文の言語 JPN
タイトル(和) 表面光伝搬のための半導体ハーフクラッド構造の開発(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
サブタイトル(和)
タイトル(英) Development of half-cladding semiconductor laser structure for light-wave transmission near the surface field
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) 半導体レーザ / Semiconductor laser
キーワード(2)(和/英) 近赤外光源 / Near-infrared light source
キーワード(3)(和/英) 光波制御 / Control of light wave properties
キーワード(4)(和/英) 半導体表面微細構造 / Micro-structured semiconductor surface
キーワード(5)(和/英) 光情報通信 / Optical communication
キーワード(6)(和/英) センシング / Sensing
第 1 著者 氏名(和/英) 村上 大介 / Daisuke Murakami
第 1 著者 所属(和/英) 情報通信研究機構:東京電機大学マイクロエレクトロニクス研究室
National Institute of Information and Communications Technology(NICT):Tokyo Denki University, Microelectronics Lab
第 2 著者 氏名(和/英) 安田 真爾 / Shinji Yasuda
第 2 著者 所属(和/英) 情報通信研究機構:東京電機大学マイクロエレクトロニクス研究室
National Institute of Information and Communications Technology(NICT):Tokyo Denki University, Microelectronics Lab
第 3 著者 氏名(和/英) 吉岡 佑毅 / Yuuki Yoshioka
第 3 著者 所属(和/英) 情報通信研究機構:東京電機大学マイクロエレクトロニクス研究室
National Institute of Information and Communications Technology(NICT):Tokyo Denki University, Microelectronics Lab
第 4 著者 氏名(和/英) 山本 直克 / Naokatsu Yamamoto
第 4 著者 所属(和/英) 情報通信研究機構
National Institute of Information and Communications Technology(NICT)
第 5 著者 氏名(和/英) 赤羽 浩一 / Kouichi Akahane
第 5 著者 所属(和/英) 情報通信研究機構
National Institute of Information and Communications Technology(NICT)
第 6 著者 氏名(和/英) 川西 哲也 / Tetsuya Kawanishi
第 6 著者 所属(和/英) 情報通信研究機構
National Institute of Information and Communications Technology(NICT)
第 7 著者 氏名(和/英) 高井 裕司 / Hiroshi Takai
第 7 著者 所属(和/英) 東京電機大学マイクロエレクトロニクス研究室
Tokyo Denki University, Microelectronics Lab
発表年月日 2012-01-26
資料番号 PN2011-46,OPE2011-162,LQE2011-148,EST2011-96,MWP2011-64
巻番号(vol) vol.111
号番号(no) 412
ページ範囲 pp.-
ページ数 4
発行日